| 講演名 | 2002/5/16 AlGaN混晶の高品質化とデバイス応用(<小特集>III族窒化物研究の最前線) 岩谷 素顕, 佐野 智昭, 寺尾 真二, 望月 信吾, 佐野 重和, 中村 哲也, 上山 智, 天野 浩, 赤崎 勇, |
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| 抄録(和) | AlGaN混晶は紫外光デバイス実現のために必須の材料である。本論文ではクラックフリーで低転位AlGaN厚膜の成長方法を報告する。そしてAlGaN系活性層を発光層として用いる場合、高効率発光を得るためには低転位密度化が重要である事を示す。さらに、低転位密度化したAlGaN上に紫外LEDを試作した結果、発光中心波長363nm、半値幅4.8nmの単一な発光が得られ、発光出力は100mA(DC)動作で2.6mWという高効率紫外LEDが実現できた。 |
| 抄録(英) | We reported the new three growth technique for realization of low threading dislocation density and crack-free Al_xGa_<1-x>N films. We found that there was a big correlation in the threading dislocation density and the PL intensity in the GaN/AlGaN MQWs. This new UV light emitting diode exhibits strong UV light output, having peak wavelength of 363 nm, a full width at half maximum as narrow as 4.8 nm and output power of 2.6 mW at 100 mA DC current injection. |
| キーワード(和) | AlGaN / 低温AlN中間層 / 転位 / 横方向成長 / 顕微-PL / 紫外LED |
| キーワード(英) | AlGaN / LT-AlN interlayer / dislocation / lateral growth / μ-PL / UV-LED |
| 資料番号 | SDM2002-13 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2002/5/16(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | AlGaN混晶の高品質化とデバイス応用(<小特集>III族窒化物研究の最前線) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Realization of high-quality thick AlGaN layers and its device application |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | AlGaN / AlGaN |
| キーワード(2)（和/英） | 低温AlN中間層 / LT-AlN interlayer |
| キーワード(3)（和/英） | 転位 / dislocation |
| キーワード(4)（和/英） | 横方向成長 / lateral growth |
| キーワード(5)（和/英） | 顕微-PL / μ-PL |
| キーワード(6)（和/英） | 紫外LED / UV-LED |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 岩谷 素顕 / Motoaki IWAYA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名城大学・理工学研究科 Faculty of Science and Technology, Meijo University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 佐野 智昭 / Tomoaki SANO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名城大学・理工学研究科 Faculty of Science and Technology, Meijo University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 寺尾 真二 / Shinji TERAO |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名城大学・理工学研究科 Faculty of Science and Technology, Meijo University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 望月 信吾 / Shingo MOCHIDUKI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 名城大学・理工学研究科 Faculty of Science and Technology, Meijo University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 佐野 重和 / Sigekazu SANO |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 名城大学・理工学研究科 Faculty of Science and Technology, Meijo University |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 中村 哲也 / Tetsuya NAKAMURA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 名城大学・理工学研究科 Faculty of Science and Technology, Meijo University |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 上山 智 / Satoshi KAMIYAMA |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 名城大学・ハイテクリサーチセンター:名城大学・理工学研究科 High-Tech Research Center, Meijo University:Faculty of Science and Technology, Meijo University |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 天野 浩 / Hiroshi AMANO |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 名城大学・ハイテクリサーチセンター:名城大学・理工学研究科 High-Tech Research Center, Meijo University:Faculty of Science and Technology, Meijo University |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 赤崎 勇 / Isamu AKASAKI |
| 第 9 著者 所属（和/英） | 名城大学・ハイテクリサーチセンター:名城大学・理工学研究科 High-Tech Research Center, Meijo University:Faculty of Science and Technology, Meijo University |
| 発表年月日 | 2002/5/16 |
| 資料番号 | SDM2002-13 |
| 巻番号（vol） | vol.102 |
| 号番号（no） | 80 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 8 |
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