| 講演名 | 2001/11/9 低誘電率層間絶縁膜の機械強度の評価、解析(<特集> : 低誘電率層間膜及び配線技術) 青井 信雄, 福田 琢也, 柳沢 寛, |
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| 抄録(和) | 近年、低誘電率化の方法として、多孔質化によるものが主流となりつつある。しかしながら、現状の低密度化による低誘電率化においては、膜の機械強度の低下が生じるためLSIプロセスとの不整合が懸念される。そこで、我々は、種々のシロキサン系膜の弾性率の評価結果を基に、多孔質膜の空孔形成と機械強度の関係を解析した。ナノインデンテーションによる弾性率の測定と、有限要素法による多孔質膜の弾性率のシミュレーションにより、空孔形成と機械強度の相関を調べた。その結果、空孔の凝集状態が、多孔質膜の弾性率を決定する要因であることが判った。 |
| 抄録(英) | With shrinking of device size of ULSI, degradation of device performances are caused by an increase of RC delay due to intra-line capacitance. In order to reduce capacitance between metal lines of ULSI multilevel interconnects, it is indispensable to introduce low-k dielectrics. A possible candidate for the future intermetal dielectrics is a porousmaterial. A pore inclusion into a dielectric film decreases its density, and reduces its dielectric constant drastically. However it causes its poor mechanical strength simultaneously. Poor mechanical strengths cause serious issues in integrating low k dielectrics into ULSI multilevel interconnect due to many kinds of stresses induced by chip fabrication, such as metal CMPs, thermal cycles, and wafer bonding, etc. Then, we believe that a degradation of mechanical strength restricts lowering dielectric constant of films. In this paper, we focus the relation between elastic modulus of low k films and pore formation mode. |
| キーワード(和) | 機械強度 / 弾性率 / 低誘電率 / 多孔質 |
| キーワード(英) | Mechanical Strength / Elastic Modulus / Low Dielectric Constant / Porous Material |
| 資料番号 | SDM2001-179 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2001/11/9(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 低誘電率層間絶縁膜の機械強度の評価、解析(<特集> : 低誘電率層間膜及び配線技術) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Analyses of Mechanical Strength of Low k Dielectrics |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 機械強度 / Mechanical Strength |
| キーワード(2)（和/英） | 弾性率 / Elastic Modulus |
| キーワード(3)（和/英） | 低誘電率 / Low Dielectric Constant |
| キーワード(4)（和/英） | 多孔質 / Porous Material |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 青井 信雄 / Nobuo Aoi |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 技術研究組合 超先端電子技術開発機構 環境プロセス技術研究室 Association of Super-Advanced Electronics Technologies, Environmental Process Technology Laboratory |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 福田 琢也 / Takuya FUKUDA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 技術研究組合 超先端電子技術開発機構 環境プロセス技術研究室 Association of Super-Advanced Electronics Technologies, Environmental Process Technology Laboratory |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 柳沢 寛 / Hiroshi Yanazawa |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 技術研究組合 超先端電子技術開発機構 環境プロセス技術研究室 Association of Super-Advanced Electronics Technologies, Environmental Process Technology Laboratory |
| 発表年月日 | 2001/11/9 |
| 資料番号 | SDM2001-179 |
| 巻番号（vol） | vol.101 |
| 号番号（no） | 430 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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