| 講演名 | 2001/11/9 PECVDによる低誘電率層間絶縁膜用a-C:F膜の合成(<特集> : 低誘電率層間膜及び配線技術) 羽路 伸夫, 霜垣 幸浩, 中野 義昭, |
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| 抄録(和) | ULSI層間絶縁膜の低誘電率化を目的として, C_2F_4を原料ガスとしたプラズマCVD法によりa-C:F膜の合成を行い, 製膜条件が膜構造および誘電率に与える影響を評価した。また, 製膜速度の滞留時間依存性の解析から, 本反応系ではプラズマ中での反応によりイオン, ラジカル類が生成する過程が律速であること, また, ステップカバレッジの解析からイオン種の付着確率は1.0程度, ラジカル類の付着確率は0.01程度であることが分かった。また, イオン種による製膜は耐熱性の高い構造を形成することも明らかになった。 |
| 抄録(英) | Preparation of a-C:F films by PECVD from C_2F_4 was performed for low dielectric constant intermetal dielectric applications. The effect of deposition parameters on film characteristics was investigated. Kinetic studies were made by examining the deposition rate change by the change of residence time of source precursor in the reactor. The formation of radical and ionic species in the plasma is limiting the deposition rate of this process. The step coverage analysis revealed the contribution of ionic and radical species. The sticking probability of ionic species was found to be unity, while the sticking probability of radical species was about 0.01. The deposition from ionic species contribute to from thermally stable structure. |
| キーワード(和) | 低誘電率層間絶縁膜 / プラズマCVD / a-C:F膜 |
| キーワード(英) | Low dielectric constant intermetal dielectrics / PECVD / a-C:F film |
| 資料番号 | SDM2001-177 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2001/11/9(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | PECVDによる低誘電率層間絶縁膜用a-C:F膜の合成(<特集> : 低誘電率層間膜及び配線技術) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Preparation of Low Dielectric Constant a-c:F films for ULSI Intermetal Dielectrics by PECVD |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 低誘電率層間絶縁膜 / Low dielectric constant intermetal dielectrics |
| キーワード(2)（和/英） | プラズマCVD / PECVD |
| キーワード(3)（和/英） | a-C:F膜 / a-C:F film |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 羽路 伸夫 / N Haneji |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 横浜国立大学大学院工学研究院 School of Engineering, Yokohama National Univ. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 霜垣 幸浩 / Y Shimogaki |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京大学大学院工学系研究科 School of Engineering, Univ. of Tokyo |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 中野 義昭 / Y Nakano |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東京大学大学院工学系研究科 School of Engineering, Univ. of Tokyo |
| 発表年月日 | 2001/11/9 |
| 資料番号 | SDM2001-177 |
| 巻番号（vol） | vol.101 |
| 号番号（no） | 430 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |