| 講演名 | 2001/11/9 シード補強銅めっきを用いた銅配線埋設技術(<特集> : 低誘電率層間膜及び配線技術) 細井 信基, 君塚 亮一, 長井 瑞樹, 奥山 修一, 小林 健, 伊藤 信和, 有田 幸司, 宮本 秀信, |
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| 抄録(和) | サブ0.1ミクロン世代の銅配線埋設に向けて、シード補強銅めっきを用いた2段めっき銅配線埋設技術を開発した.アルカリ金属フリーのピロりん酸銅浴を用いてシード補強銅めっきを行うことにより、より薄いスパッタ銅シードに対して微細パターンの埋設を実現し、また、形成したデュアルダマシン配線においてはエレクトロマイグレーション耐性の向上効果を確認した. |
| 抄録(英) | We have developed the two-step copper (Cu) electroplating (EP) technique using alkali-metal-free copper pyrophosphate bath for Cu seed enhancement EP step. Alkali-metal-free copper pyrophosphate bath realizes conformal thickening of thin Cu seed layer without dissolution of Cu seed layer due to high resistivity, high polarization, and low Cu dissolubility of the bath. The two-step technique brings excellent yield of the via-chain resistance and good EM resistance in comparison with copper sulfate EP technique. Thus, two-step electroplating is a promising technique for future ULSIs fabrication beyond the limitation of PVD seed technology. |
| キーワード(和) | 銅配線 / 銅めっき / シード補強めっき / ピロりん酸銅 / アルカリ金属フリー |
| キーワード(英) | Copper interconnect / copper electroplating / seed enhancement / copper pyrophosphate bath |
| 資料番号 | SDM2001-175 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2001/11/9(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | シード補強銅めっきを用いた銅配線埋設技術(<特集> : 低誘電率層間膜及び配線技術) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Two-step Copper Electroplating Technique using Seed Enhancement step |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 銅配線 / Copper interconnect |
| キーワード(2)（和/英） | 銅めっき / copper electroplating |
| キーワード(3)（和/英） | シード補強めっき / seed enhancement |
| キーワード(4)（和/英） | ピロりん酸銅 / copper pyrophosphate bath |
| キーワード(5)（和/英） | アルカリ金属フリー |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 細井 信基 / Nobuki HOSOI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 日本電気株式会社先端デバイス開発本部 ULSI Device Development Division, NEC Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 君塚 亮一 / Ryoichi KIMIZUKA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 株式会社荏原製作所精密・電子事業本部 Precision Machinery Division, EBARA Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 長井 瑞樹 / Mizuki NAGAI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 株式会社荏原製作所精密・電子事業本部 Precision Machinery Division, EBARA Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 奥山 修一 / Shuichi OKUYAMA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 株式会社荏原製作所精密・電子事業本部 Precision Machinery Division, EBARA Corporation |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 小林 健 / Takeshi KOBAYASHI |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 株式会社荏原製作所精密・電子事業本部 Precision Machinery Division, EBARA Corporation |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 伊藤 信和 / Nobukazu ITO |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 日本電気株式会社先端デバイス開発本部 ULSI Device Development Division, NEC Corporation |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 有田 幸司 / Koji ARITA |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 日本電気株式会社先端デバイス開発本部 ULSI Device Development Division, NEC Corporation |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 宮本 秀信 / Hidenobu MIYAMOTO |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 日本電気株式会社先端デバイス開発本部 ULSI Device Development Division, NEC Corporation |
| 発表年月日 | 2001/11/9 |
| 資料番号 | SDM2001-175 |
| 巻番号（vol） | vol.101 |
| 号番号（no） | 430 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
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