| 講演名 | 2001/10/9 高速化量子分子動力学法によるシリコンプラズマ酸化過程の検討 黒川 仁, 篠田 克己, 横須賀 俊之, 鈴木 研, 高見 誠一, 久保 百司, 宮本 明, 今村 詮, |
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| 抄録(和) | 半導体デバイスの高集積化に伴い、シリコンMOSデバイスのゲート絶縁膜として使用される酸化膜の薄膜化が進められている。しかし、熱酸化のような高温プロセスにおいては格子欠陥、不純物の再拡散、熱応力の発生など、高温プロセスに由来する現象が問題となり、低温プロセスの確率が必要とされている。そのため、従来の熱酸化に比べて低温での酸化膜形成が可能なプラズマ酸化が検討されている。そこで、本研究では高速化量子分子動力学法を用いて、シリコンプラズマ酸化の初期過程について検討を行った。 |
| 抄録(英) | Scaling of semiconductor devices below sub-micron dimensions requires thinner silicon oxide films. However, high temperature processes such as thermal oxidation can cause severe degradation of device characteristics due to generation of lattice defects, diffusions of dopant and wrap in the silicon substrate. Thus, low-temperature and damage-free silicon oxidation techniques are highly required in various ultralarge-scale-integrated circuit(ULSI)processes. Then, much attention is paid to the plasma oxidation. The oxidation of silicon in an oxygen plasma enables us to prepare thin and high-quality films of silicon dioxide at temperatures down to room temperature in a clean vacuum environment. In this study, Accelerated Quantum molecular dynamics calculations of the plasma oxidation reaction process were carried out. |
| キーワード(和) | 高速化量子分子動力学法 / シリコン / プラズマ酸化 |
| キーワード(英) | Accelerated Quantum Molecular Dynamics / Silicon / Plasma Oxidation |
| 資料番号 | SDM2001-171 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2001/10/9(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 高速化量子分子動力学法によるシリコンプラズマ酸化過程の検討 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Accelerated Quantum Molecular Dynamics Studies on Silicon Plasma Oxidation Process |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 高速化量子分子動力学法 / Accelerated Quantum Molecular Dynamics |
| キーワード(2)（和/英） | シリコン / Silicon |
| キーワード(3)（和/英） | プラズマ酸化 / Plasma Oxidation |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 黒川 仁 / Hitoshi KUROKAWA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東北大学大学院工学研究科材料化学専攻 Graduate School of Engineering, Tohoku University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 篠田 克己 / Katsumi SASATA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東北大学大学院工学研究科材料化学専攻 Graduate School of Engineering, Tohoku University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 横須賀 俊之 / Toshiyuki YOKOSUKA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東北大学大学院工学研究科材料化学専攻 Graduate School of Engineering, Tohoku University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 鈴木 研 / Ken SUZUKI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東北大学大学院工学研究科材料化学専攻 Graduate School of Engineering, Tohoku University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 高見 誠一 / Seiichi TAKAMI |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 東北大学大学院工学研究科材料化学専攻 Graduate School of Engineering, Tohoku University |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 久保 百司 / Momoji KUBO |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 東北大学大学院工学研究科材料化学専攻 Graduate School of Engineering, Tohoku University |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 宮本 明 / Akira MIYAMOTO |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 東北大学大学院工学研究科材料化学専攻 Graduate School of Engineering, Tohoku University |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 今村 詮 / Akira IMAMURA |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 広島国際学院大学工学部 Faculty of Engineering, Hiroshima Kokusai Gakuin University |
| 発表年月日 | 2001/10/9 |
| 資料番号 | SDM2001-171 |
| 巻番号（vol） | vol.101 |
| 号番号（no） | 350 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 3 |
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