| 講演名 | 2001/10/9 CMP過程に関する計算化学的検討 横須賀 俊之, 篠田 克己, 黒川 仁, 高見 誠一, 久保 百司, 宮本 明, 今村 詮, |
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| 抄録(和) | 最近の半導体デバイスの微細化、高集積化に伴い、基板に対して高平坦度が求められている。この平坦化技術の一つであり、現在最も広く用いられているものに化学機械研磨法(CMP)がある。CMPに関する数多くの研究がなされているが、プロセスの詳細な理解には至っていないのが現状である。このため、CMPプロセスの最適化のためには計算化学を用いた理論的な研究が不可欠であると考えられる。そこで本研究では、CMP過程に関して分子動力学法とハイブリッド量子分子動力力学法を用いて検討した。 |
| 抄録(英) | For the further advancement of the semiconductor device technology, the high and global planarization is requested. The chemical-mechanical polishing technology is one of the planarization technologies, and used widely in the electronics fields. Although a lot of experimental results related to the CMP processes have been accumulated, the detailes of CMP processes have not been clarified. Hence, the theoretical studies using computational chemistry are necessary to optimize various parameters and conditions of the CMP processes. In the present study, we investigated the dynamic behavior of the CMP process using molecular dynamics method and hybrid quantum chemical molecular dynamics method. |
| キーワード(和) | CMP / 分子動力学法 / ハイブリッド量子分子動力学法 |
| キーワード(英) | CMP / Molecular Dynamics Method / Hybrid Quantum Chemical Molecular Dynamics Method |
| 資料番号 | SDM2001-169 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2001/10/9(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | CMP過程に関する計算化学的検討 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Theoretical Study of CMP Processes |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | CMP / CMP |
| キーワード(2)（和/英） | 分子動力学法 / Molecular Dynamics Method |
| キーワード(3)（和/英） | ハイブリッド量子分子動力学法 / Hybrid Quantum Chemical Molecular Dynamics Method |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 横須賀 俊之 / Toshiyyuki YOKOSUKA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東北大学大学院工学研究科 材料化学専攻 宮本研究室 Department of Materials Chemistry, Graduate School of Engineering, Tohoku University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 篠田 克己 / Katsumi SASATA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東北大学大学院工学研究科 材料化学専攻 宮本研究室 Department of Materials Chemistry, Graduate School of Engineering, Tohoku University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 黒川 仁 / Hitoshi KUROKAWA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東北大学大学院工学研究科 材料化学専攻 宮本研究室 Department of Materials Chemistry, Graduate School of Engineering, Tohoku University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 高見 誠一 / Seiichi TAKAMI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東北大学大学院工学研究科 材料化学専攻 宮本研究室 Department of Materials Chemistry, Graduate School of Engineering, Tohoku University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 久保 百司 / Momoji KUBO |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 東北大学大学院工学研究科 材料化学専攻 宮本研究室 Department of Materials Chemistry, Graduate School of Engineering, Tohoku University |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 宮本 明 / Akira MIYAMOTO |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 東北大学大学院工学研究科 材料化学専攻 宮本研究室 Department of Materials Chemistry, Graduate School of Engineering, Tohoku University |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 今村 詮 / Akira IMAMURA |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 広島国際学院大学工学部 Department of Mathematics, Faculty of Engineering, Hiroshima Kokusai Gakuin University |
| 発表年月日 | 2001/10/9 |
| 資料番号 | SDM2001-169 |
| 巻番号（vol） | vol.101 |
| 号番号（no） | 350 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
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