| 講演名 | 2001/6/30 Performance analyses of GaAs PHEMT for phase difference in millimeter waves , |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | In this paper, we have designed and fabricated pre-matched and bus type of gates and, then, carried out analyses of input return loss(IRL) and phase differences for millimeter waves. From analyses of phase differences of the excited signal at each gate electrode by momentum simulations, the PHEMT's with pre-matched gate have much smaller phase difference than ones with bus type gate. The IRL differences between the pre-matched and bus type gates with unit gate widths of 25, 40 and 50 um are 0.62±0.04, 0.52±0.08 and 0.49±0.05 dB, respectively. The overall improvements of IRL's for the pre-matched gate compared with bus type is 0.54±0.11 dB at 30 GHz. Also, the overall improvement of S_<21> gain for the pre-matched gate compared with bus type gate is 0.88 dB at 30 GHz. |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | PHEMT / Phase difference / Input return loss(IRL) |
| 資料番号 | ED2001-102,SDM2001-109 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2001/6/30(から1日開催) |
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| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Performance analyses of GaAs PHEMT for phase difference in millimeter waves |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / PHEMT |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | / D. An |
| 第 1 著者 所属（和/英） | Millimeter-wave INnovation Technology research center(MINT), Department of Electronics Engineering, Dongguk University |
| 発表年月日 | 2001/6/30 |
| 資料番号 | ED2001-102,SDM2001-109 |
| 巻番号（vol） | vol.101 |
| 号番号（no） | 165 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |