| 講演名 | 2001/6/30 Development of Si NMOS low-power Tx MMIC chipsets for 5.8 GHz wireless PDA applications , |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | Tx MMIC chipsets based on 0.18 μm CMOS technology have been designed, fabricated, and tested. An up-converter chip was designed in a cascode structure with LO and IF frequencies of 5.5 GHz and 300 MHz, respectively. Measured results showed a conversion loss of 3.4 dB and a power consumption of 9 mW. A two-stage driver amplifier chip was designed with 16 × 10 μm NMOSFETs. This fabricated amplifier has an insertion gain of 8.7 dB at 6.8 GHz. Its P_<1dB> is 6.7 dBm, and a power consumption of 40 mW. It also has a noise figure of 5.0 dB at 6.8 GHz. The measured results were promising, showing high potential of this technology for the wireless PDA applications. |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | Si-MMIC / CMOS / RF / NMOSFET / amplifier / up-converter / mixer / wireless PDA / 5.8 GHz |
| 資料番号 | ED2001-101,SDM2001-108 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2001/6/30(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Development of Si NMOS low-power Tx MMIC chipsets for 5.8 GHz wireless PDA applications |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / Si-MMIC |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | / Y.H. Chun |
| 第 1 著者 所属（和/英） | Millimeter-wave INnovation Technology research center(MINT), Dongguk University |
| 発表年月日 | 2001/6/30 |
| 資料番号 | ED2001-101,SDM2001-108 |
| 巻番号（vol） | vol.101 |
| 号番号（no） | 165 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |