| 講演名 | 2001/6/30 Development of a RF Bipolar Transistor in a Standard 0.35μm CMOS Technology , |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | A RF Bipolar Transistor integrated to a standard 0.35μm CMOS process is presented. This BiCMOS technology features a single-poly NPN transistor with simulated performance of ƒ_T=16GHz and BV_ |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | 0.35μm CMOS Technology / RF Silicon Bipolar Transistor / cutoff frequency ƒ_T |
| 資料番号 | ED2001-100,SDM2001-107 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2001/6/30(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Development of a RF Bipolar Transistor in a Standard 0.35μm CMOS Technology |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / 0.35μm CMOS Technology |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | / I-Shan Michael Sun |
| 第 1 著者 所属（和/英） | University of Toronto, Dept.of Elec.& Comp.Engineering |
| 発表年月日 | 2001/6/30 |
| 資料番号 | ED2001-100,SDM2001-107 |
| 巻番号（vol） | vol.101 |
| 号番号（no） | 165 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 7 |
| 発行日 | |