講演名	2001/6/30 Low-frequency noise characteristics of In_<0.52>Al_<0.48>As/In_<0.60>Ga_<0.40>As metamorphic high electron mobility transistors ,
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抄録(和)
抄録(英)	Low-frequency noise characteristics of In_<0.52>Al_<0.48>As/In_<0.60>Ga_<0.40>As metamorphic high electron mobility transitors(MM-HEMTs) grown on a GaAs substrate are investigated. Dependence of low-frequency noise spectral density of the MM-HEMT having two 0.5x50 μm^2 gates on temperature(200K-400K)and gate and drain bias voltages is characterized for frequencies between 1 Hz to 53 kHz. The low-frequency input noise spectra of the MM-HEMT showed pure 1/f noise characteristics, indicating that there exist no deep trap effects for the temperature and the frequency ranges investigated. The MM-HEMT showed a very low noise spectral density(Hooge parameter: 3.7x10^<-5> frequency exponent: ～1.0)and a very small transconductance frequency dispersion(Δg_m/g_m<3%), which are comparable to the state-of-the-art InAlAs/InGaAs HEMTs grown on InP substrate. The results indicate a great potential of In_<0.52>Al_<0.48>As/In_<0.60>Ga_<0.40>As MM-HEMT grown on GaAs substrate for millimeter-wave circuit applications requiring low phase noise characteristics.
キーワード(和)
キーワード(英)	Metamorphic HEMT(MM-HEMT) / Low-frequency noise / transconductance frequency dispersion
資料番号	ED2001-99,SDM2001-106
発行日

研究会情報
研究会	SDM
開催期間	2001/6/30(から1日開催)
開催地（和）
開催地（英）
テーマ（和）
テーマ（英）
委員長氏名（和）
委員長氏名（英）
副委員長氏名（和）
副委員長氏名（英）
幹事氏名（和）
幹事氏名（英）
幹事補佐氏名（和）
幹事補佐氏名（英）

講演論文情報詳細
申込み研究会	Silicon Device and Materials (SDM)
本文の言語	ENG
タイトル（和）
サブタイトル（和）
タイトル（英）	Low-frequency noise characteristics of In_<0.52>Al_<0.48>As/In_<0.60>Ga_<0.40>As metamorphic high electron mobility transistors
サブタイトル（和）
キーワード(1)（和/英）	/ Metamorphic HEMT(MM-HEMT)
第 1 著者 氏名（和/英）	/ Jeong Hoon Kim
第 1 著者 所属（和/英）	Dept.of Information and Communications, K-JIST
発表年月日	2001/6/30
資料番号	ED2001-99,SDM2001-106
巻番号（vol）	vol.101
号番号（no）	165
ページ範囲	pp.-
ページ数	4
発行日