| 講演名 | 2001/6/30 AlGaN/GaN HEMTの高周波特性の温度依存性 水谷 孝, 秋田 光俊, 岸本 茂, |
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| 抄録(和) | AlGaN/GaN HEMTの高周波特性を室温から187℃までの温度範囲でSパラメータ測定により評価した。電流遮断周波数は温度の上昇とともに単調に減少し、室温で13.7GHz、187℃で8.7GHzであり35%の減少であった。遅延時間解析から求めたチャネル内の実効電子速度は室温で1.2x10^7cm/s、187℃で0.8x10^7cm/sであった。減少率は35%と遮断周波数と同じであり、遮断周波数の温度依存性は移動度ではなく電子速度の温度依存性で支配されていることを明らかにした。得られた電子速度の値がピーク速度(モンテカルロ計算)よりも小さいこと、速度の温度依存性がピーク速度の温度依存性よりも大きいことは、チャネルの電界がピーク電界に比べて小さいためであることで説明可能である。 |
| 抄録(英) | High-frequency performance of the 1.3-μm-long-gate AlGaN/GaN HEMTs have been evaluated by S-parameter measurements at temperatures between 23 and 187℃. The cutoff frequency f_T decreased monotonically with increase in temperature. It was 13.7 and 8.7 GHz at 23 and 187℃, respectively. The effective electron velocities v_ |
| キーワード(和) | AlGaN HEMT / 温度依存性 / 高周波特性 / 電子速度 |
| キーワード(英) | AlGaN/GaN HEMT / temperature dependence / high-frequency performance / electron velocity |
| 資料番号 | ED2001-98,SDM2001-105 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2001/6/30(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | AlGaN/GaN HEMTの高周波特性の温度依存性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Characterization of Temperature Dependence of High-Frequency Performance of AlGaN/GaN HEMTs |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | AlGaN HEMT / AlGaN/GaN HEMT |
| キーワード(2)（和/英） | 温度依存性 / temperature dependence |
| キーワード(3)（和/英） | 高周波特性 / high-frequency performance |
| キーワード(4)（和/英） | 電子速度 / electron velocity |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 水谷 孝 / Takashi Mizutani |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋大学工学研究科 Department of Quantum Engineering, Nagoya University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 秋田 光俊 / Mitsutoshi Akita |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋大学工学研究科 Department of Quantum Engineering, Nagoya University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 岸本 茂 / Shigeru Kishimoto |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名古屋大学工学研究科 Department of Quantum Engineering, Nagoya University |
| 発表年月日 | 2001/6/30 |
| 資料番号 | ED2001-98,SDM2001-105 |
| 巻番号（vol） | vol.101 |
| 号番号（no） | 165 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |