| 講演名 | 2001/6/30 AlGaN/GaNヘテロ接合FETのマイクロ波高出力特性 葛原 正明, 羽山 信幸, 安藤 裕二, 国弘 和明, 笠原 健資, 岡本 康宏, 松永 高治, 中山 達峰, 大野 泰夫, 宮本 広信, |
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| 抄録(和) | 高周波パワーデバイスとしてサファイア基板上に作製したAlGaN/GaNヘテロ接合FETのマイクロ波高出力特性について述べる。まず、AlGaN/GaNヘテロ接合FETの作製プロセス技術を紹介する。特に、放熱特性を改善するために導入したサファイア基板の薄層化技術について述べる。サファイア基板を50μmまで薄層化したFETの基本特性に機械的損傷による悪い影響は認められず、基板薄層化が放熱特性に極めて有効であることを示す。試作したゲート長0.9μm、ゲート幅16mmの高出力FETにおいて、出力電力13.9W、電力付加効率28.4%のパワー特性を周波数1.95GHz、ドレイン電圧32Vにおいて確認した。さらに、将来的に予想される究極の高周波パワー特性をフルバンドモンテカルロシミュレーションを用いて解析した結果を報告する。最後に、ミリ波高出力デバイスの期待について議論する。 |
| 抄録(英) | Microwave power performance of an AlGaN/GaN heterojunction FET fabricated on a sapphire substrate is described. Device fabrication processes, including mechanical thinning technique of the substrate, are presented. The fabricated power AlGaN/GaN FET with a thinned sapphire substrate down to 50μm exhibited no trace of degradation in the device performance and delivered an output power of 13.9W with a power-added efficiency of 28.4% at 1.95GHz. The results of a full-band ensemble Monte Carlo simulation predicted a current gain cutoff frequency of 170GHz and a power density of 26W/mm with a gate length of 0.1μm. The prospects of millimeter-wave high-power applications will be discussed. |
| キーワード(和) | AlGaN/GaN / ヘテロ接合 / FET / パワーデバイス / サファイア基板 |
| キーワード(英) | AlGaN/GaN / heterojunction / FET / Power device / Sapphire substrate |
| 資料番号 | ED2001-96,SDM2001-103 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2001/6/30(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | AlGaN/GaNヘテロ接合FETのマイクロ波高出力特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Microwave Power Performance of AlGaN/GaN Heterojunction FETs |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | AlGaN/GaN / AlGaN/GaN |
| キーワード(2)（和/英） | ヘテロ接合 / heterojunction |
| キーワード(3)（和/英） | FET / FET |
| キーワード(4)（和/英） | パワーデバイス / Power device |
| キーワード(5)（和/英） | サファイア基板 / Sapphire substrate |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 葛原 正明 / M. Kuzuhara |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 日本電気株式会社光・無線デバイス研究所 Photonic and Wireless Devices Research laboratories, NEC Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 羽山 信幸 / N. Hayama |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 日本電気株式会社光・無線デバイス研究所 Photonic and Wireless Devices Research laboratories, NEC Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 安藤 裕二 / Y. Ando |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 日本電気株式会社光・無線デバイス研究所 Photonic and Wireless Devices Research laboratories, NEC Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 国弘 和明 / K. Kunihiro |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 日本電気株式会社光・無線デバイス研究所 Photonic and Wireless Devices Research laboratories, NEC Corporation |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 笠原 健資 / K. Kasahara |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 日本電気株式会社光・無線デバイス研究所 Photonic and Wireless Devices Research laboratories, NEC Corporation |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 岡本 康宏 / Y. Okamoto |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 日本電気株式会社光・無線デバイス研究所 Photonic and Wireless Devices Research laboratories, NEC Corporation |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 松永 高治 / K. Matsunaga |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 日本電気株式会社光・無線デバイス研究所 Photonic and Wireless Devices Research laboratories, NEC Corporation |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 中山 達峰 / T. Nakayama |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 日本電気株式会社光・無線デバイス研究所 Photonic and Wireless Devices Research laboratories, NEC Corporation |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 大野 泰夫 / Y. Ohno |
| 第 9 著者 所属（和/英） | 日本電気株式会社光・無線デバイス研究所 Photonic and Wireless Devices Research laboratories, NEC Corporation |
| 第 10 著者 氏名（和/英） | 宮本 広信 / H. Miyamoto |
| 第 10 著者 所属（和/英） | 日本電気株式会社光・無線デバイス研究所 Photonic and Wireless Devices Research laboratories, NEC Corporation |
| 発表年月日 | 2001/6/30 |
| 資料番号 | ED2001-96,SDM2001-103 |
| 巻番号（vol） | vol.101 |
| 号番号（no） | 165 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |