| 講演名 | 2001/6/30 The InP-HEMT IC Technology for 40-Gbit/s Optical Communications , |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | The InP-HEMT IC technology is outlined. This technology realize the integration of 0.1 um gate length HEMTs, vertical diodes, capacitors and WSiN resistors with two level interconnections. The InP-HEMT degradation mode is investigated. The increase in Rd is the critical condition for 100 C use. InAlP-CSL(carrier supply layer)-HEMTs have 100 times longer lifetime than the usual InAlAs-CSL-HEMTs. This HEMT lifetime is 10^7 hours at 100 C. This technology realizes 43 Gbit/s operating SSIs and MSIs with practical yield, successfully. |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | compound semiconductor / InP / InAlP / InAlAs / GaInAs / IC / HEMT |
| 資料番号 | ED2001-95,SDM2001-102 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2001/6/30(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | The InP-HEMT IC Technology for 40-Gbit/s Optical Communications |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / compound semiconductor |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | / Yasuro Yamane |
| 第 1 著者 所属（和/英） | NTT Photonics Laboratories |
| 発表年月日 | 2001/6/30 |
| 資料番号 | ED2001-95,SDM2001-102 |
| 巻番号（vol） | vol.101 |
| 号番号（no） | 165 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 8 |
| 発行日 | |