講演名 | 2001/6/29 An Accurate Drain Current Model of SOI High Voltage Lateral MOSFETs Including Self-Heating Effect , |
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抄録(和) | |
抄録(英) | We have developed the nonisothermal drain current model of SOI high voltage(HV) lateral MOSFETs including the self-heating effect which is caused by the heat generated in high voltage integrated circuits and by the low thermal conductance. The thermal network of high voltage lateral MOSFETs is composed of the lumped heat capacitors. lumped thermal conductors and lumped heat sources considering the physical effect of isothermal drain current and transient temperature-rate with time. The simulation results using a nonisothermal circuit model show the negative differential resistance 1-V characteristics and have good agreement with the measurements when long pulses are applied to gate of high voltage lateral MOSFETs. |
キーワード(和) | |
キーワード(英) | SOI / LDMOSFETs / self-heating / heat flow equation / circuit model |
資料番号 | ED2001-78,SDM2001-85 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | SDM |
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開催期間 | 2001/6/29(から1日開催) |
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講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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本文の言語 | ENG |
タイトル(和) | |
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タイトル(英) | An Accurate Drain Current Model of SOI High Voltage Lateral MOSFETs Including Self-Heating Effect |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | / SOI |
第 1 著者 氏名(和/英) | / Mueng-Ryul Lee |
第 1 著者 所属(和/英) | Div.of Electrical and Computer Engineering, Hanyang University |
発表年月日 | 2001/6/29 |
資料番号 | ED2001-78,SDM2001-85 |
巻番号(vol) | vol.101 |
号番号(no) | 164 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 6 |
発行日 |