| 講演名 | 2001/6/29 a-Si_<1-X>Ge_Xの低温固相成長と次世代TFT 宮尾 正信, 佐道 泰造, 山口 伸也, 朴 成基, |
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| 抄録(和) | 次世代TFTへの応用を目的として絶縁膜上におけるシリコン薄膜の低温固相成長法を検討した。一般に非晶質シリコン薄膜の結晶成長では、核発生に大きなエネルギーを必要とする事から高温度が必要である。しかし、シリコン薄膜にゲルマニウム原子を導入する事、及び固相成長中にイオン線照射を併用する事等を利用すれば核発生温度が400℃程度迄に低下する事が明らかとなった。今後、ボンド結合の強度を変調し、固相成長成長プロセスを制御する技術は次世代TFTで重要になるものと思われる。 |
| 抄録(英) | Low temperature solid-phase crystallization(SPC) of a-Si(Ge)on SiO_2 has been investigated. The crystal nucleation of a-Si occurred at temperatures above 800℃, while the nucleation temperature was significantly decreased to 400℃ by using both Ge doping and ion irradiation during SPC. This enhancement of SPC is attributed to weakening of Si-Si bond-strength by Ge doping and ion irradiation. Such a method for bond-strength modulation will be a useful tool to fabricate high-quality and low-cost poly-Si(Ge)thin-film transistors on glass substrates. |
| キーワード(和) | シリコンゲルマニウム / 薄膜トランジスタ / 固相成長 / ボンド変調 |
| キーワード(英) | SiGe / thin-film transistor / solid-phase crystallization / bond-sterngth modulation |
| 資料番号 | ED2001-71,SDM2001-78 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2001/6/29(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | a-Si_<1-X>Ge_Xの低温固相成長と次世代TFT |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Low Temperature Solid-Phase Crystallization of a-Si_<1-X>Ge_X for Future TFT |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | シリコンゲルマニウム / SiGe |
| キーワード(2)（和/英） | 薄膜トランジスタ / thin-film transistor |
| キーワード(3)（和/英） | 固相成長 / solid-phase crystallization |
| キーワード(4)（和/英） | ボンド変調 / bond-sterngth modulation |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 宮尾 正信 / M. Miyao |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 九州大学・大学院システム情報科学研究院・電子デバイス工学専攻 Department of Electronics, Kyushu University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 佐道 泰造 / T. Sadoh |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 九州大学・大学院システム情報科学研究院・電子デバイス工学専攻 Department of Electronics, Kyushu University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 山口 伸也 / S. Yamaguchi |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 日立製作所・中央研究所 Central Research Lab., Hitachi Ltd. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 朴 成基 / S.K. Park |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 日立製作所・中央研究所 Central Research Lab., Hitachi Ltd. |
| 発表年月日 | 2001/6/29 |
| 資料番号 | ED2001-71,SDM2001-78 |
| 巻番号（vol） | vol.101 |
| 号番号（no） | 164 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |