| 講演名 | 2001/4/13 ショットキー・ソース/ドレインMOSFETによるキンク電流の抑制 浅野 種正, 中川 豪, 西坂 美香, 牧平 憲治, |
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| 抄録(和) | 多結晶Si薄膜トランジスタの高性能化に伴い問題となってきているドレイン電流のキング現象を、ショットキー接触をソース/ドレインに用いることで抑制する方法について議論している。ソースでのショットキー接触はTFTのボディー内への多数キャリヤの蓄積を減少し、ドレインでのそれはインパクトイオン化を抑制すると提案している。デバイスシミュレーションによってキャリヤの振る舞いを検討するとともに、仕事関数の異なるNiシリサイドおよびPtSiをショットキー接触材料として用いたpチャネルSOI MOSFETを作製し、実験的に原理を検証した。 |
| 抄録(英) | This report discusses effects of Schottky source/drain of polycrystalline-Si TFT and SOI MOSFET to supress the kink current due to the floating body effect. The Schottky contact at the source provides a lower diffusion barrier for the majority carrier in the body of the TFT and SOI MOSFET, which reduces the accumulation of carriers in the body. The Schottky contact at the drain contact reduces the electric field at the drain edge owing to the built-in field which opposes to the drain bias field. This reduces the impact ionization at the drain region. Device simulation was performed to analyze bahavior of carriers in the device. SOI MOSFETs were fabricated using Ni-silicide and PtSi for the source contact. The experimental results prove the effects of Schottky contacts and demonstrate the suprression of the kink current in the drain characteristics of the devices. |
| キーワード(和) | 多結晶Si / 薄膜トランジスタ / TFT / ショットキーMOS / 基板浮遊効果 / キンク効果 / SOI MOSFET |
| キーワード(英) | thin film transinstor / polycrystalline silicon / TFT / Schottky MOS / floating body effects |
| 資料番号 | ED2001-12,SDM2001-12 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2001/4/13(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ショットキー・ソース/ドレインMOSFETによるキンク電流の抑制 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Supressing kink currnet using Schottky source/drain MOSFET |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 多結晶Si / thin film transinstor |
| キーワード(2)（和/英） | 薄膜トランジスタ / polycrystalline silicon |
| キーワード(3)（和/英） | TFT / TFT |
| キーワード(4)（和/英） | ショットキーMOS / Schottky MOS |
| キーワード(5)（和/英） | 基板浮遊効果 / floating body effects |
| キーワード(6)（和/英） | キンク効果 |
| キーワード(7)（和/英） | SOI MOSFET |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 浅野 種正 / Tanemasa Asano |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 九州工業大学マイクロ化総合技術センター Center for Microelectronic Systems, Kyushu Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 中川 豪 / Gou Nakagawa |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 九州工業大学マイクロ化総合技術センター Center for Microelectronic Systems, Kyushu Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 西坂 美香 / Mika Nishisaka |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 九州工業大学マイクロ化総合技術センター Center for Microelectronic Systems, Kyushu Institute of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 牧平 憲治 / Kenji Makihira |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 九州工業大学マイクロ化総合技術センター Center for Microelectronic Systems, Kyushu Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2001/4/13 |
| 資料番号 | ED2001-12,SDM2001-12 |
| 巻番号（vol） | vol.101 |
| 号番号（no） | 17 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |