講演名 2001/4/13
TFTの高性能化と課題
野口 隆,
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抄録(和) TFTの高性能化と課題に関して、デバイス構造と材料、プロセスの基本的な観点より論じる。ポリSi TFTは、積層型SRAMとして、またガラスなど任意の基板上LCDや、さらにELDなどの平面ディスプレイ駆動としても応用が盛んである。素子構造や結晶化法など製造プロセスの改善、信頼性評価などにより、移動度向上、リーク低減などの高性能化がすすんでいるが、素子の低電圧化、微細化の流れとともに、特性の均一性などの課題も生じてくる。素子高性能化と関連する課題に関して、実験報告結果をもとに示す。予測される課題を考慮し高性能化の研究をすすめることで、SOP時代へむけてのTFT技術のさらなる展開もより現実的に期待されてくると考えられる。
抄録(英) TFT performance and relating subject are discussed from a viewpoint of device structure, material and fabrication process. Crystallized Si TFTs are applied not only to stacked SRAMs but also to displays such as LCD or ELD etc. by adopting a technique such as SPC or ELA. Although the improvement of device characteristics such as an enhancement of carrier mobility or a reduction of leakage current are under going, issues such as a uniformity of the device characteristics become more important relating to the reduction of driving voltage or the shrinkage of device size. The improvement of TFTs, a proposal for attaining the uniformity, relating fundamental result and/or its possibility are described. By settling the issues, coming SOP era using TFTs should be expected.
キーワード(和) TFT / ポリSi / LCD / ELD / SPC / ELA / SOP
キーワード(英) TFT / polySi / LCD / ELD / SPC / ELA / SOP
資料番号 ED2001-11,SDM2001-11
発行日

研究会情報
研究会 SDM
開催期間 2001/4/13(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Silicon Device and Materials (SDM)
本文の言語 JPN
タイトル(和) TFTの高性能化と課題
サブタイトル(和)
タイトル(英) A High Performance TFT and its Subject
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) TFT / TFT
キーワード(2)(和/英) ポリSi / polySi
キーワード(3)(和/英) LCD / LCD
キーワード(4)(和/英) ELD / ELD
キーワード(5)(和/英) SPC / SPC
キーワード(6)(和/英) ELA / ELA
キーワード(7)(和/英) SOP / SOP
第 1 著者 氏名(和/英) 野口 隆 / Takashi NOGUCHI
第 1 著者 所属(和/英)
発表年月日 2001/4/13
資料番号 ED2001-11,SDM2001-11
巻番号(vol) vol.101
号番号(no) 17
ページ範囲 pp.-
ページ数 6
発行日