| 講演名 | 2001/4/13 DPSS CWレーザを利用したガラス上の選択単結晶シリコン成長とそのトランジスタ特性 原 明人, 吉野 健一, 竹内 文代, 佐々木 伸夫, |
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| 抄録(和) | エネルギー安定性の非常に高い半導体励起固体(DPSS)CWレーザ(Nd:YVO_4, 532nm, 10W)を利用してガラスに熱損傷を与えることなくTFTのチャネル領域を単結晶化する新しい結晶成長方法について報告する。本方法の特徴は、(1)チャネル領域を熱浴として作用する厚いシリコン膜で覆う(2)ネッキング構造をチャネル領域に付加する(3)チャネル領域に沿って、ネッキング領域側から結晶化させる(4)裏面からレーザ照射することである。本方法を利用してチャネル領域全域にわたって単結晶化することに成功した。単結晶化領域は幅2μm、長さ20μmである。450℃のプロセスを利用してガラス上にTFTを作成した結果、最高移動度410cm^2/Vs(平均移動度310cm^2/Vs), S-value 0.20V/dec、Vth=0.2Vが得られた。 |
| 抄録(英) | We have developed a new Si crystallization method, which makes possible to form single-crystalline-silicon (Si) film in channel region of TFTs on non-alkali glass without introducing thermal damage into it, using a scanning diode pumped solid-state (DPSS) CW laser (Nd:YVO_4, 532nm, 10W). The peculiar characteristics of this crystallization method are introduction of pre-defined thick capping Si layer on the pre-patterned channel region and laser irradiation from back surface. We succeeded in formation of single-crystalline-Si with 2μm wide and 20μm long. High performance TFTs with mobility of 410 cm^2/Vs, S-value 0.20 V/dec, Vth 2.0V were obtained on non-alkali glass by fabrication process below 450℃. This crystallization uses stable diode pumped solid-state laser and realizes the high-performance Si devices on non-alkali glass substrates, which are necessary to achieve System On Glass (SOG). |
| キーワード(和) | レーザ / CWレーザ / シリコン / 結晶成長 / 薄膜トランジスタ / TFT |
| キーワード(英) | laser / CW laser / silicon / crystal growth / thin film transistor / TFT |
| 資料番号 | ED2001-10,SDM2001-10 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2001/4/13(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | DPSS CWレーザを利用したガラス上の選択単結晶シリコン成長とそのトランジスタ特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Selective Single-Crystalline-Silicon Growth at the Pre-defined Active Regions of TFTs on a Glass by a Scanning DPSS CW Laser Irradiation |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | レーザ / laser |
| キーワード(2)（和/英） | CWレーザ / CW laser |
| キーワード(3)（和/英） | シリコン / silicon |
| キーワード(4)（和/英） | 結晶成長 / crystal growth |
| キーワード(5)（和/英） | 薄膜トランジスタ / thin film transistor |
| キーワード(6)（和/英） | TFT / TFT |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 原 明人 / Akito Hara |
| 第 1 著者 所属（和/英） | (株)富士通研究所 Fujitsu Lab. Ltd |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 吉野 健一 / Kenichi Yoshino |
| 第 2 著者 所属（和/英） | (株)富士通研究所 Fujitsu Lab. Ltd |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 竹内 文代 / Fumiyo Takeuchi |
| 第 3 著者 所属（和/英） | (株)富士通研究所 Fujitsu Lab. Ltd |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 佐々木 伸夫 / Nobuo Sasaki |
| 第 4 著者 所属（和/英） | (株)富士通研究所 Fujitsu Lab. Ltd |
| 発表年月日 | 2001/4/13 |
| 資料番号 | ED2001-10,SDM2001-10 |
| 巻番号（vol） | vol.101 |
| 号番号（no） | 17 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 7 |
| 発行日 | |