| 講演名 | 2001/4/13 SiO_2基板上の非晶質Si/Ge積層構造におけるGe拡散と結晶化過程 朴 成基, 山口 伸也, 杉井 信之, 波多野 睦子, |
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| 抄録(和) | 石英基板(SiO_2)上の非晶質Si/Ge積層構造における固相結晶成長過程を透過型電子顕微鏡を用いて調べた。その結果、Si層の間にGe層を配置したSandwich構造では従来のSiGe混晶と同じ結晶化の振舞を示したがSiO_2とSi層の間にGe層を配置したBottom構造では全く異なる結晶化過程を示した。このような結晶化過程の大きな差は積層構造の違いによるGe拡散の違いに起因すると考えられる。 |
| 抄録(英) | The Solid-phase-crystallization process of amorphous Si/Ge multi-layer structure on quartz (SiO_2) substrates has been investigated by using a transmission electron microscopy (TEM). The sandwich structure in which a thin Ge layer put between Si layers shows similar behavior to those of SiGe alloy layer. The bottom structure in which a thin Ge layer put between quartz substrate and Si layer, however, crystallization property is quite different form the sandwich structure, it is originated by difference of Ge-diffusion due to the difference of Ge-layer position between quartz substrate and Si layer. |
| キーワード(和) | 固相結晶成長 / BottomとSandwich構造 / Ge拡散 / TEM |
| キーワード(英) | Solid-phase crystallization / Bottom and sandwich structures / Ge diffusion / TEM |
| 資料番号 | ED2001-9,SDM2001-9 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2001/4/13(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | SiO_2基板上の非晶質Si/Ge積層構造におけるGe拡散と結晶化過程 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Crystallization and Ge diffusion in amorphous Si/Ge multi layers on SiO_2 |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 固相結晶成長 / Solid-phase crystallization |
| キーワード(2)（和/英） | BottomとSandwich構造 / Bottom and sandwich structures |
| キーワード(3)（和/英） | Ge拡散 / Ge diffusion |
| キーワード(4)（和/英） | TEM / TEM |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 朴 成基 / S. K. Park |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 日立製作所・中央研究所 Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 山口 伸也 / S. Yamaguchi |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 日立製作所・中央研究所 Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 杉井 信之 / N. Sugii |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 日立製作所・中央研究所 Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 波多野 睦子 / M. Hatano |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 日立製作所・中央研究所 Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd. |
| 発表年月日 | 2001/4/13 |
| 資料番号 | ED2001-9,SDM2001-9 |
| 巻番号（vol） | vol.101 |
| 号番号（no） | 17 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |