講演名 | 2001/4/12 ダイナミックストレスに対するp型低温ポリシリコン薄膜トランジスタの信頼性評価 長野 奈津代, 梅野 智和, 浦岡 行治, 畑山 智亮, 冬木 隆, 古田 守, 川村 哲也, 土橋 友次, |
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抄録(和) | ダイナミックストレスに対するp型低温ポリシリコン薄膜トランジスタの信頼性評価を行った。ダイナミックスストレスにより、経時的に移動度、ON電流は上昇し、OFF電流は減少することがわかった。移動度の増加は周波数やパルスの立ち上がり時間に依存し、周波数が高いほど、また立ち上がりが急峻なほど変化は大きかった。また、容量-電圧特性の測定では、ストレス印加後正側へのシフトが観測された。これらの結果から、p型TFTの移動度の変化は、パルスの立ち上がり時のホットキャリアによる電子トラップが原因ではないかと考えた。 |
抄録(英) | We have studied the reliability of low temperature poly-Si under dynamic stress using p-ch TFT. Increase of mobility and ON current was observed in p-chTFT under the dynamic stress. It was found that the mobility increase depended strongly on rising time and a positive shift was observed in CV curve. Base on the results, we made a new model considering hot carrier effect. |
キーワード(和) | 低温ポリシリコンTFT / 信頼性 / ホットキャリア効果 / DAHC |
キーワード(英) | Low Temperature Poly-Si TFT / Reliability / Hot Carrier effects / DAHC |
資料番号 | ED2001-6,SDM2001-6 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | SDM |
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開催期間 | 2001/4/12(から1日開催) |
開催地(和) | |
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テーマ(英) | |
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幹事補佐氏名(英) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | ダイナミックストレスに対するp型低温ポリシリコン薄膜トランジスタの信頼性評価 |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | Hot Carrier Effects in Low-Temperature poly-Si p-ch TFTs under Dynamic Stress |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | 低温ポリシリコンTFT / Low Temperature Poly-Si TFT |
キーワード(2)(和/英) | 信頼性 / Reliability |
キーワード(3)(和/英) | ホットキャリア効果 / Hot Carrier effects |
キーワード(4)(和/英) | DAHC / DAHC |
第 1 著者 氏名(和/英) | 長野 奈津代 / N. Nagano |
第 1 著者 所属(和/英) | 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科 School of Materials Science, Nara Institute of Science and Technology |
第 2 著者 氏名(和/英) | 梅野 智和 / T. Umeno |
第 2 著者 所属(和/英) | 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科 School of Materials Science, Nara Institute of Science and Technology |
第 3 著者 氏名(和/英) | 浦岡 行治 / Y. Uraoka |
第 3 著者 所属(和/英) | 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科 School of Materials Science, Nara Institute of Science and Technology |
第 4 著者 氏名(和/英) | 畑山 智亮 / T. Hatayama |
第 4 著者 所属(和/英) | 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科 School of Materials Science, Nara Institute of Science and Technology |
第 5 著者 氏名(和/英) | 冬木 隆 / T. Fuyuki |
第 5 著者 所属(和/英) | 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科 School of Materials Science, Nara Institute of Science and Technology |
第 6 著者 氏名(和/英) | 古田 守 / M. Furuta |
第 6 著者 所属(和/英) | 松下電器産業株式会社液晶事業部 LCD Division Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. |
第 7 著者 氏名(和/英) | 川村 哲也 / T. Kawamura |
第 7 著者 所属(和/英) | 松下電器産業株式会社液晶事業部 LCD Division Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. |
第 8 著者 氏名(和/英) | 土橋 友次 / Y. Tsuchihashi |
第 8 著者 所属(和/英) | 松下電器産業株式会社液晶事業部 LCD Division Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. |
発表年月日 | 2001/4/12 |
資料番号 | ED2001-6,SDM2001-6 |
巻番号(vol) | vol.101 |
号番号(no) | 16 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 6 |
発行日 |