| 講演名 | 2001/4/12 触媒CVD法による高移動度poly-Si TFTの作製 河西 弘人, 久須本 典熙, 山中 英雄, 矢元 久良, 谷口 武志, 石田 丈繁, 豊田 一行, 国井 泰夫, |
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| 抄録(和) | 触媒CVD法により、ポリシリコン(poly-Si)薄膜トランジスタ(TFT)を作製した。これまで、触媒CVD法で作製した高結晶化poly-Si膜は、膜中に酸素などの不純物を多く取り込む傾向があり、これがTFT移動度向上の妨げとなっていた。今回、触媒CVD法により様々なpoly-Si成膜条件に対してTFTを作製し、移動度向上に関する検討を行った。その結果、高結晶性を有するpoly-Si膜においても、含有不純物(特に酸素)濃度を低減できることを明らかにした。また、poly-Si膜中の含有酸素濃度と膜の結晶性、およびTFT移動度の関係を明らかにし、膜中酸素濃度が10^<19>cm^<-3>程度以下で、かつ結晶化率90%以上のpoly-Si膜であれば、数10cm^2/Vsの高移動度poly-Si TFTが作製可能であることを実証した。 |
| 抄録(英) | Polycrystalline silicon (Poly-Si) thin films transistor (TFT) is prepared by Catalytic Vapor Deposition (Cat-CVD) method. In this method, when the crystaline fraction of poly-Si becomes high, the contamination such as oxygen, which degrades the TFT characteristics, used to be frequently observed. In this study, we succeeded to obtain the high crystalline poly-Si films with low oxygen contamination. From the relation between the TFT mobility and the oxygen concentration of poly-Si films, it is concluded that high mobility poly-Si TFT with more than 10 cm^2/Vs can be obtained, if the poly-Si film with high crystaline fraction over 90% has low oxygen concentration less than 10^<19>cm^<-3> order. |
| キーワード(和) | ポリシリコン / アモルファスシリコン / 薄膜トランジスタ / 不純物 / 酸素 |
| キーワード(英) | polycrystalline silicon / amorphous silicon / thin film transistor / contamination / oxygen |
| 資料番号 | ED2001-4,SDM2001-4 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2001/4/12(から1日開催) |
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| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 触媒CVD法による高移動度poly-Si TFTの作製 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabrication of High Mobility poly-Si TFT by Cat-CVD Method |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ポリシリコン / polycrystalline silicon |
| キーワード(2)（和/英） | アモルファスシリコン / amorphous silicon |
| キーワード(3)（和/英） | 薄膜トランジスタ / thin film transistor |
| キーワード(4)（和/英） | 不純物 / contamination |
| キーワード(5)（和/英） | 酸素 / oxygen |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 河西 弘人 / Hiroto Kasai |
| 第 1 著者 所属（和/英） | ソニー(株)SNC LSIテクノロジー開発部門 LSI Technology Development Division, Semiconductor Network Company, Sony Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 久須本 典熙 / Norihiro Kusumoto |
| 第 2 著者 所属（和/英） | ソニー(株)SNC LSIテクノロジー開発部門 LSI Technology Development Division, Semiconductor Network Company, Sony Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 山中 英雄 / Hideo Yamanaka |
| 第 3 著者 所属（和/英） | ソニー(株)SNC LSIテクノロジー開発部門 LSI Technology Development Division, Semiconductor Network Company, Sony Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 矢元 久良 / Hisayoshi Yamoto |
| 第 4 著者 所属（和/英） | ソニー(株)SNC LSIテクノロジー開発部門 LSI Technology Development Division, Semiconductor Network Company, Sony Corporation |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 谷口 武志 / Takeshi Taniguchi |
| 第 5 著者 所属（和/英） | (株)日立国際電気電子機械事業部 Semiconductor Equipment Division, Hitachi Kokusai Electric Inc. |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 石田 丈繁 / Takeshige Ishida |
| 第 6 著者 所属（和/英） | (株)日立国際電気電子機械事業部 Semiconductor Equipment Division, Hitachi Kokusai Electric Inc. |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 豊田 一行 / Kazuyuki Toyoda |
| 第 7 著者 所属（和/英） | (株)日立国際電気電子機械事業部 Semiconductor Equipment Division, Hitachi Kokusai Electric Inc. |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 国井 泰夫 / Yasuo Kunii |
| 第 8 著者 所属（和/英） | (株)日立国際電気電子機械事業部 Semiconductor Equipment Division, Hitachi Kokusai Electric Inc. |
| 発表年月日 | 2001/4/12 |
| 資料番号 | ED2001-4,SDM2001-4 |
| 巻番号（vol） | vol.101 |
| 号番号（no） | 16 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 7 |
| 発行日 | |