| 講演名 | 2001/4/12 SiN薄膜上に形成されたエキシマ・レーザ・アニール法によるpoly-Si薄膜の結晶性 田口 亮平, 阿部 寿, 河本 直哉, 松尾 直人, 納田 朋幸, 浜田 弘喜, |
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| 抄録(和) | 本研究においては、PE-CVD法を用いてSiO_2/SiN/glass上に作製したa-SiをELA法によって再結晶化したpoly-Si薄膜の結晶性について調査した。SiN基板上のpoly-Si薄膜の結晶性は従来基板上のpoly-Siよりも良い。ラマンピークシフトや半値全幅は、200～400mJ/cm^2、8～100ショットのどの条件においてもほぼ均一であった。a-Si内の水素が、ELA法による再結晶化poly-Siの結晶性に影響を与えていると推測される。 |
| 抄録(英) | In this study, we investigated the characteristic of the poly-Si film prepared by ELA method of a-Si deposited on SiO_2/SiN/grass subustrate using PE-CVD method. The crystallinity of the poly-Si film on the SiN substrate is better than that on the conventional substrate. Raman peak shift and FWHM keep constant in the range from 200 to 400mJ/cm^2 or 8 to 100shots, respectively. It is inferred that the hydrogens in a-Si influence the crystallinity of the recrystallized poly-Si by ELA. |
| キーワード(和) | poly-Si薄膜 / ELA / 再結晶化 / SiN / 水素 |
| キーワード(英) | poly-Si film / ELA / recrystallization / SiN / hydrogens |
| 資料番号 | ED2001-3,SDM2001-3 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2001/4/12(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | SiN薄膜上に形成されたエキシマ・レーザ・アニール法によるpoly-Si薄膜の結晶性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Characteristics of Recrystallized poly-Si Film Prepared by ELA Deposited on SiN Film |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | poly-Si薄膜 / poly-Si film |
| キーワード(2)（和/英） | ELA / ELA |
| キーワード(3)（和/英） | 再結晶化 / recrystallization |
| キーワード(4)（和/英） | SiN / SiN |
| キーワード(5)（和/英） | 水素 / hydrogens |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 田口 亮平 / Ryouhei TAGUCHI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 山口大学工学部電気電子工学科 Department of Electrical & Electronic Engineering,Yamaguchi University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 阿部 寿 / Hisashi ABE |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所 Microelectronics Reserch Center, SANYO Electric Co., Ltd |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 河本 直哉 / Naoya KAWAMOTO |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 山口大学工学部電気電子工学科 Department of Electrical & Electronic Engineering,Yamaguchi University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 松尾 直人 / Naoto MATSUO |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 山口大学工学部電気電子工学科 Department of Electrical & Electronic Engineering,Yamaguchi University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 納田 朋幸 / Tomoyuki NOUDA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所 Microelectronics Reserch Center, SANYO Electric Co., Ltd |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 浜田 弘喜 / Hiroki HAMADA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所 Microelectronics Reserch Center, SANYO Electric Co., Ltd |
| 発表年月日 | 2001/4/12 |
| 資料番号 | ED2001-3,SDM2001-3 |
| 巻番号（vol） | vol.101 |
| 号番号（no） | 16 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |