講演名 | 2001/4/12 SiN薄膜上に形成されたエキシマ・レーザ・アニール法によるpoly-Si薄膜の結晶性 田口 亮平, 阿部 寿, 河本 直哉, 松尾 直人, 納田 朋幸, 浜田 弘喜, |
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抄録(和) | 本研究においては、PE-CVD法を用いてSiO_2/SiN/glass上に作製したa-SiをELA法によって再結晶化したpoly-Si薄膜の結晶性について調査した。SiN基板上のpoly-Si薄膜の結晶性は従来基板上のpoly-Siよりも良い。ラマンピークシフトや半値全幅は、200~400mJ/cm^2、8~100ショットのどの条件においてもほぼ均一であった。a-Si内の水素が、ELA法による再結晶化poly-Siの結晶性に影響を与えていると推測される。 |
抄録(英) | In this study, we investigated the characteristic of the poly-Si film prepared by ELA method of a-Si deposited on SiO_2/SiN/grass subustrate using PE-CVD method. The crystallinity of the poly-Si film on the SiN substrate is better than that on the conventional substrate. Raman peak shift and FWHM keep constant in the range from 200 to 400mJ/cm^2 or 8 to 100shots, respectively. It is inferred that the hydrogens in a-Si influence the crystallinity of the recrystallized poly-Si by ELA. |
キーワード(和) | poly-Si薄膜 / ELA / 再結晶化 / SiN / 水素 |
キーワード(英) | poly-Si film / ELA / recrystallization / SiN / hydrogens |
資料番号 | ED2001-3,SDM2001-3 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | SDM |
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開催期間 | 2001/4/12(から1日開催) |
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幹事補佐氏名(英) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | SiN薄膜上に形成されたエキシマ・レーザ・アニール法によるpoly-Si薄膜の結晶性 |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | Characteristics of Recrystallized poly-Si Film Prepared by ELA Deposited on SiN Film |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | poly-Si薄膜 / poly-Si film |
キーワード(2)(和/英) | ELA / ELA |
キーワード(3)(和/英) | 再結晶化 / recrystallization |
キーワード(4)(和/英) | SiN / SiN |
キーワード(5)(和/英) | 水素 / hydrogens |
第 1 著者 氏名(和/英) | 田口 亮平 / Ryouhei TAGUCHI |
第 1 著者 所属(和/英) | 山口大学工学部電気電子工学科 Department of Electrical & Electronic Engineering,Yamaguchi University |
第 2 著者 氏名(和/英) | 阿部 寿 / Hisashi ABE |
第 2 著者 所属(和/英) | 三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所 Microelectronics Reserch Center, SANYO Electric Co., Ltd |
第 3 著者 氏名(和/英) | 河本 直哉 / Naoya KAWAMOTO |
第 3 著者 所属(和/英) | 山口大学工学部電気電子工学科 Department of Electrical & Electronic Engineering,Yamaguchi University |
第 4 著者 氏名(和/英) | 松尾 直人 / Naoto MATSUO |
第 4 著者 所属(和/英) | 山口大学工学部電気電子工学科 Department of Electrical & Electronic Engineering,Yamaguchi University |
第 5 著者 氏名(和/英) | 納田 朋幸 / Tomoyuki NOUDA |
第 5 著者 所属(和/英) | 三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所 Microelectronics Reserch Center, SANYO Electric Co., Ltd |
第 6 著者 氏名(和/英) | 浜田 弘喜 / Hiroki HAMADA |
第 6 著者 所属(和/英) | 三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所 Microelectronics Reserch Center, SANYO Electric Co., Ltd |
発表年月日 | 2001/4/12 |
資料番号 | ED2001-3,SDM2001-3 |
巻番号(vol) | vol.101 |
号番号(no) | 16 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 4 |
発行日 |