| 講演名 | 2001/4/12 金属インプリント法による擬似単結晶poly-Si TFT 牧平 憲治, 吉井 栄仁, 浅野 種正, |
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| 抄録(和) | 金属インプリント法を用いた擬似単結晶poly-Si TFTを作製し、その特性評価を行った。Niを用いてインプリントを行うことで結晶核の発生時間を大幅に短縮でき、その結果、大粒径結晶粒を所望の任意の位置に形成できることがわかった。得られた結晶粒は<111>配向であった。560℃アニールによって平均7μmの粒径が得られた。この方法を用いてチャネル領域を単一結晶粒内に配置したTFTを作製した。作製したTFTは電界移動度がnチャンネルで400cm^2/Vs、pチャンネルで220cm^2/Vsの高い性能を示し、特性の素子間ばらつきも通常のTFTの1/2の均一性のよいものが作製できることがわかった。 |
| 抄録(英) | Single-grain polycrystalline-Si TFTs on solid-phase crystalized poly-Si films prepared by metal imprint technology have been fabricated and characterized. Metal imprint was performed using Ni. Due to the reduction of the incubation time for crystallization, large single-crystal grains were formed at controlled position. Grains were found to be <111> oriented. The average size of grains were about 7μm after crystallization at 560℃. TFT having the channel in the single grain were fabricated. TFTs showed the field effect mobility up to 400cm^2/Vs for n-channel and 220cm^2/Vs for p-channel. The variation in characteristics of TFTs fabricated with the Ni imprint technology was about half of the variation obtained from TFTs fabricated using the conventional solid phase crystallization. |
| キーワード(和) | poly-Si TFT / 核形成位置制御 / インプリント法 / 固相結晶化 / 多結晶シリコン |
| キーワード(英) | poly-Si TFT / nucleation control / imprint / solid-phase crystallization / poly-Si |
| 資料番号 | ED2001-2,SDM2001-2 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2001/4/12(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 金属インプリント法による擬似単結晶poly-Si TFT |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Single-Grain Poly-Si TFT Fabricated on Poly-Si Films Prepared by Metal Imprint Technology |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | poly-Si TFT / poly-Si TFT |
| キーワード(2)（和/英） | 核形成位置制御 / nucleation control |
| キーワード(3)（和/英） | インプリント法 / imprint |
| キーワード(4)（和/英） | 固相結晶化 / solid-phase crystallization |
| キーワード(5)（和/英） | 多結晶シリコン / poly-Si |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 牧平 憲治 / Kenji Makihira |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 九州工業大学マイクロ化総合技術センター Center for Microelectronic Systems, Kyushu Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 吉井 栄仁 / Masahito Yoshii |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 九州工業大学マイクロ化総合技術センター Center for Microelectronic Systems, Kyushu Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 浅野 種正 / Tanemasa Asano |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 九州工業大学マイクロ化総合技術センター Center for Microelectronic Systems, Kyushu Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2001/4/12 |
| 資料番号 | ED2001-2,SDM2001-2 |
| 巻番号（vol） | vol.101 |
| 号番号（no） | 16 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |