| 講演名 | 2001/4/12 低エネルギコスト電子デバイスとしての多結晶シリコン薄膜トランジスタの可能性 山内 規義, |
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| 抄録(和) | 資源の有効利用と製造エネルギの節減のため,Si MOS FETに換えて多結晶シリコン薄膜トランジスタ(poly-Si TFT)を集積回路用電子デバイスとして用いる検討を開始することを提案する.その根拠は以下の3点に要約される.(1)今までのpoly-Si TFTの研究開発により,Si MOS FETの5分の1程度以上の移動度を示すnチャネルおよびpチャネルのpoly-Si TFTが実現されている.(2)Si結晶粒の位置制御技術を用い,Si結晶粒にTFTを作りこむsingle-grain TFTの可能性が示された.これによりスケーリングによるpoly-Si TFTの性能向上に見通しが得られるようになった.(3)Si MOS FETの製造に要するエネルギの中で,Si基板の製造に要するエネルギは,1000kWh/m^2(基板厚さ0.7mm)程度であり,突出している.この値は,ガラス基板の製造エネルギの100倍以上に相当する. |
| 抄録(英) | This paper proposes to study replacing silicon MOS FETs by poly-Si thin-film transistors (poly-Si TFTs) in integrated circuits to use resources efficiently and to save energy. The basis of this proposal is summarized as follows. (1) Poly-Si TFTs with mobilities more than 1/5 those of Si MOS FETs have been achieved for both n-channel and p-channel in research and development. (2) The potential of single-grain TFTs using silicon grain site controlling technologies has been demonstrated. This leads to performance enhancement of poly-Si TFTs with scaling. (3) The energy to fabricate the silicon substrates is dominant in the fabrication energy of Si MOS FETs. The energy of about 1000 kWh/m^2 (for a 0.7 mm-thick substrate) is more than 100 times that for glass substrates. |
| キーワード(和) | 多結晶シリコン薄膜トランジスタ / poly-Si TFT / エネルギコスト / シングルグレインTFT |
| キーワード(英) | polycrystalline silicon thin-film transistor / poly-Si TFT / energy cost / single-grain TFT |
| 資料番号 | ED2001-1,SDM2001-1 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2001/4/12(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 低エネルギコスト電子デバイスとしての多結晶シリコン薄膜トランジスタの可能性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Possibilities of Poly-Si Thin-Film Transistors as Low Energy-Cost Electron Devices |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 多結晶シリコン薄膜トランジスタ / polycrystalline silicon thin-film transistor |
| キーワード(2)（和/英） | poly-Si TFT / poly-Si TFT |
| キーワード(3)（和/英） | エネルギコスト / energy cost |
| キーワード(4)（和/英） | シングルグレインTFT / single-grain TFT |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 山内 規義 / Noriyoshi Yamauchi |
| 第 1 著者 所属（和/英） | NTTサービスインテグレーション基盤研究所 NTT Service Integration Laboratories |
| 発表年月日 | 2001/4/12 |
| 資料番号 | ED2001-1,SDM2001-1 |
| 巻番号（vol） | vol.101 |
| 号番号（no） | 16 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 8 |
| 発行日 | |