| 講演名 | 2001/5/18 Si_<1-x>Ge_xチャネルpMOSFETにおける低周波雑音とSi_<1-x>Ge_x/Siヘテロ構造品質との対応 土屋 敏章, 松浦 孝, 室田 淳一, |
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| 抄録(和) | Si_<1-x>Ge_xチャネルpMOSFETの低周波雑音特性を, これまでに無い広い範囲のGe比率(02, 0.5, 0.7)とSi_<1-x>Ge_x膜厚(2-14nm)について検討した. この結果, Si_<1-x>Ge_xチャネルpMOSFETは, 通常のSi pMOSFETより低周波雑音を低減できることを明らかにした. また, 特定のバイアス条件下における雑音電力により, Si_<1-x>Ge_x/Siヘテロ構造品質を評価できることを示し, この雑音電力とMOSFETの最大相互コンダクタンスがよく対応することを示した. |
| 抄録(英) | Low frequency noise (LFN) in Si_<1-x>Ge_x-channel pMOSFETs with a relatively wide range of Ge fraction x=0.2, 0.5, 0.7, and Si_<1-x>Ge_x thickness d_ |
| キーワード(和) | SiGe / MOSFET / SiGe/Siヘテロ構造 / 低周波雑音 |
| キーワード(英) | SiGe / MOSFET / SiGe/Si heterostructure / low frequency noise |
| 資料番号 | ED2001-41,CPM2001-28,SDM2001-41 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2001/5/18(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | Si_<1-x>Ge_xチャネルpMOSFETにおける低周波雑音とSi_<1-x>Ge_x/Siヘテロ構造品質との対応 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Low frequency noise in Si_<1-x>Ge_x-channel pMOSFETs and its correlation with Si_<1-x>Ge_x/Si heterostructure quality |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | SiGe / SiGe |
| キーワード(2)（和/英） | MOSFET / MOSFET |
| キーワード(3)（和/英） | SiGe/Siヘテロ構造 / SiGe/Si heterostructure |
| キーワード(4)（和/英） | 低周波雑音 / low frequency noise |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 土屋 敏章 / T. Tsuchiya |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 島根大学総合理工学部 Interdisciplinary Faculty of Science and Engineering, Shimane University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 松浦 孝 / T. Matsuura |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東北大学電気通信研究所 Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 室田 淳一 / J. Murota |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東北大学電気通信研究所 Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University |
| 発表年月日 | 2001/5/18 |
| 資料番号 | ED2001-41,CPM2001-28,SDM2001-41 |
| 巻番号（vol） | vol.101 |
| 号番号（no） | 83 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |