| 講演名 | 2001/5/18 C分子線源にアークプラズマガンを用いたGeC混晶のMBE成長 沖仲 元毅, 段床 亮一, 浜名 康全, 徳田 崇, 太田 淳, 布下 正宏, |
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| 抄録(和) | 新しいC分子線源としてアークプラズマガンを分子線エピタキシー(MBE)に導入し、C分子線の特性とGe基板上に成長したGeCエピタキシャル膜の結晶性評価を行った。分子線の評価より、デバイス特性に悪影響を与える粒径がμm程度のマクロパーティクルは1mm^2に0～1個以下であった。また、SiならびにGe基板上のC膜では界面付近でSi-C、Ge-C結合が優先的に生じており、アークプラズマガンがGeC混晶成長のC分子線源として有効である事を確認した。Ge基板上のGeC成長においては、供給したC原子がほぼすべて混晶内に取り込まれ、アークプラズマガンの利用により、高いC組成をもつGeC混晶成長が可能である事を示した。 |
| 抄録(英) | An arc plasma gun was applied for a new C source in molecular beam epitaxiy (MBE). Basic properties of this C source have been characterized and GeC epilayers on Ge substrates were grown. C layers deposited by the arc plasma gun have few micro-particles which deteriorate device performance. The growth modes of the GeC epilayers were dependent on the C fraction. It is confirmed that most of the supplied C atoms are incorporated in the GeC alloys. Therefore the arc plasma gun is a promising C source for the MBE growth of GeC alloys. |
| キーワード(和) | アークプラズマガン / GeC / マクロパーティクル / Cクラスター / 3次元成長 / C偏析 |
| キーワード(英) | Arc plasma gun / GeC / micro-particle / C cluster / 3D growth / C segregation |
| 資料番号 | ED2001-33,CPM2001-20,SDM2001-33 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2001/5/18(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | C分子線源にアークプラズマガンを用いたGeC混晶のMBE成長 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | MBE growth of GeC using arc plasma gun for a C molecular beam |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | アークプラズマガン / Arc plasma gun |
| キーワード(2)（和/英） | GeC / GeC |
| キーワード(3)（和/英） | マクロパーティクル / micro-particle |
| キーワード(4)（和/英） | Cクラスター / C cluster |
| キーワード(5)（和/英） | 3次元成長 / 3D growth |
| キーワード(6)（和/英） | C偏析 / C segregation |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 沖仲 元毅 / Motoki Okinaka |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科 Graduate School of Materials Science, Nara Institute of Science and Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 段床 亮一 / Ryoichi Dansho |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科:(現)ソニー(株) Graduate School of Materials Science, Nara Institute of Science and Technology:(Present address) SONY corp. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 浜名 康全 / Yasumasa Hamana |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科 Graduate School of Materials Science, Nara Institute of Science and Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 徳田 崇 / Takashi Tokuda |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科 Graduate School of Materials Science, Nara Institute of Science and Technology |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 太田 淳 / Jun Ohta |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科 Graduate School of Materials Science, Nara Institute of Science and Technology |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 布下 正宏 / Masahiro Nunoshita |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科 Graduate School of Materials Science, Nara Institute of Science and Technology |
| 発表年月日 | 2001/5/18 |
| 資料番号 | ED2001-33,CPM2001-20,SDM2001-33 |
| 巻番号（vol） | vol.101 |
| 号番号（no） | 83 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |