| 講演名 | 2001/3/5 メモリ用強誘電体材料の構造と誘電特性 島川 祐一, 久保 佳美, 田内 裕基, 神山 崇, 浅野 肇, |
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| 抄録(和) | FeRAM材料として注目を集めているBi層状構造強誘電体酸化物の結晶構造と誘電特性の相関を報告する。中性子回折を用いた詳細な結晶構造解析の結果、SrBi_2Ta_2O_9系材料では、特にTaO_6八面体から構成されるペロブスカイト層の歪みが誘電特性に大きな影響を与えていることが示された。元素置換による構造歪みの増大により、デバイス開発上の重要な指標である分極の増大やキュリー温度の上昇が実現されている。また、Bi層状構造酸化物の耐還元性における問題も結晶構造上の特徴と大きく関わっていることが明らかになってきた。 |
| 抄録(英) | Crystal structures and ferroelectric properties of Bi-layered oxides, which are used for FeRAMs, are reported. Structure analysis using neutron diffraction data reveals significant distortion of the structure. The pronounced structural distortion of the perovskite-type unit leads to larger ferroelectric polarization and higher Curie temperature. A problem of the material against reducing conditions is also pointed out from a structural point of view. |
| キーワード(和) | Bi層状強誘電体 / 中性子回折 / 結晶構造 / 構造歪み |
| キーワード(英) | Bi-layered ferroelectric oxides / neutron diffraction / crystal structure / structural distortion |
| 資料番号 | SDM2000-235 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2001/3/5(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | メモリ用強誘電体材料の構造と誘電特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Crystal structures and ferroelectric properties of oxide-ferroelectric materials used for FeRAMs |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | Bi層状強誘電体 / Bi-layered ferroelectric oxides |
| キーワード(2)（和/英） | 中性子回折 / neutron diffraction |
| キーワード(3)（和/英） | 結晶構造 / crystal structure |
| キーワード(4)（和/英） | 構造歪み / structural distortion |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 島川 祐一 / Y. Shimakawa |
| 第 1 著者 所属（和/英） | NEC基礎研究所 Fundamental Research Laboratories, NEC Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 久保 佳美 / Y. Kubo |
| 第 2 著者 所属（和/英） | NEC基礎研究所 Fundamental Research Laboratories, NEC Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 田内 裕基 / Y. Tauchi |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 筑波大学物質工学系 Institute for Materials Science, University of Tsukuba |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 神山 崇 / T. Kamiyama |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 高エネルギー加速器研究機構 Neutron Science Laboratory, KEK |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 浅野 肇 / H. Asano |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 筑波大学物質工学系 Institute for Materials Science, University of Tsukuba |
| 発表年月日 | 2001/3/5 |
| 資料番号 | SDM2000-235 |
| 巻番号（vol） | vol.100 |
| 号番号（no） | 652 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 8 |
| 発行日 | |