| 講演名 | 2001/2/22 ヘテロ界面に周期性を有するInGaAs量子井戸の光学および伝導特性 野田 武司, 永宗 靖, 中村 有水, 榊 裕之, |
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| 抄録(和) | (111)B微傾斜基板上に形成する多段原子ステップを利用して、ヘテロ界面に約30nmの周期を持つInGaAs量子井戸(QW)を作製し、その光学特性および伝導特性について調べた。(111)B基板上に作製した井戸幅11nmの量子井戸では、メインピークの8meV上にショルダーが存在する発光スペクトルが得られた。また移動度は電子密度にほとんど依存せず、しかも<1-00>方向の移動度が<01-1>方向より約2倍高い値を示した。この異方性の原因は多段原子ステップに対する電流の方向に関係していると考えられる。これらの特性は(100)上に作製した量子井戸の特性と異なることから、ヘテロ界面を形成する凹凸構造に起因していると考えられる。 |
| 抄録(英) | InGaAs quantum wells(QWs) with periodically modulated heterointerfaces were grown on a(111)B mis-oriented substrate by using multiatomic steps and their transport and optical properties were studied. It is found that, in 11 nm thick QW on the(111)B mis-oriented substrate, photoluminescence(PL) spectrum has shoulder structure and mobility is less dependent on the electron concentration. In addition, the mobility along <1-00> is two times higher than that along <01-1>. This anisotropy is probably related to the multiatomic steps forming heterointerfaces. We speculate that these properties are originated from heterointerfaces with periodic structure. |
| キーワード(和) | InGaAs量子井戸 / 多段原子ステップ / (111)B微傾斜基板 / 周期構造 / 異方性 |
| キーワード(英) | InGaAs quantum well / multiatomic step / (111)B mis-oriented substrate / periodic structure / anisotropy |
| 資料番号 | ED2000-271,SDM2000-225 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2001/2/22(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ヘテロ界面に周期性を有するInGaAs量子井戸の光学および伝導特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Transport and optical properties of InGaAs quantum wells with periodically modulated heterointerfaces |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | InGaAs量子井戸 / InGaAs quantum well |
| キーワード(2)（和/英） | 多段原子ステップ / multiatomic step |
| キーワード(3)（和/英） | (111)B微傾斜基板 / (111)B mis-oriented substrate |
| キーワード(4)（和/英） | 周期構造 / periodic structure |
| キーワード(5)（和/英） | 異方性 / anisotropy |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 野田 武司 / Takeshi Noda |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京大学生産技術研究所 Institute of Industrial Science, University of Tokyo |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 永宗 靖 / Yasushi Nagamune |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 電子技術総合研究所 Electrotechnical Laboratory |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 中村 有水 / Yuusui Nakamura |
| 第 3 著者 所属（和/英） | マックスプランク固体物理研究所 Max-Planck-Institut fuer Festkoerperforschung |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 榊 裕之 / Hiroyuki Sakaki |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東京大学生産技術研究所 Institute of Industrial Science, University of Tokyo |
| 発表年月日 | 2001/2/22 |
| 資料番号 | ED2000-271,SDM2000-225 |
| 巻番号（vol） | vol.100 |
| 号番号（no） | 644 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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