| 講演名 | 2001/2/22 ショットキーIPG/WPG型GaAs量子細線トランジスタの最適化とその応用 湯元 美樹, 岩谷 将伸, 葛西 誠也, 長谷川 英機, |
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| 抄録(和) | ショットキーインプレーンゲート(IPG)およびラップゲート(WPG)型GaAs量子細線トランジスタの工学的応用のため、デバイス特性を詳細に調べると共に、デバイス構造最適化を図った。電流-電圧特性および磁気抵抗特性より、各々のゲート構造における、実効細線幅のゲートバイアス依存性など、ゲート制御特性を明らかにした。また、エッチング細線形状がコンダクタンス特性に与える影響を調べると共に、素子形状制御によるコンダクタンスステップやしきい値制御について検討した。 |
| 抄録(英) | Basic device characteristics GaAs Schottky in-plane gate(IPG)- and wrap gate(WPG)-based quantum wire transistors were investigated, and the device structures were optimized for their integrated circuit applications. The gate controllability in each gate structure including the gate-voltage dependence of effective wire width was characterized by current-voltage and magnetoresistance measurements. The control of conductance step characteristics and the threshold voltage in the IPG/WPG quantum wire transistors were also discussed. |
| キーワード(和) | 量子細線トランジスタ / ショットキー接合 / インプレーンゲート / ラップゲート / 量子化コンダクタンス |
| キーワード(英) | quantum wire transistor / Schottky junction / in-plane gate(IPG) / wrap gate(WPG) / conductance quantization |
| 資料番号 | ED2000-264,SDM2000-218 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2001/2/22(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ショットキーIPG/WPG型GaAs量子細線トランジスタの最適化とその応用 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Optimization and Application of GaAs-based Quantum Wire Transistors Utilizing Schottky In-Plane Gates and Wrap Gates |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 量子細線トランジスタ / quantum wire transistor |
| キーワード(2)（和/英） | ショットキー接合 / Schottky junction |
| キーワード(3)（和/英） | インプレーンゲート / in-plane gate(IPG) |
| キーワード(4)（和/英） | ラップゲート / wrap gate(WPG) |
| キーワード(5)（和/英） | 量子化コンダクタンス / conductance quantization |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 湯元 美樹 / Miki Yumoto |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 北海道大学量子界面エレクトロニクス研究センター:北海道大学工学研究科電子情報工学専攻 Research Center for Interface Quantum Electronics, Hokkaido University:Graduate School of Electronics and Information Engineering, Hokkaido University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 岩谷 将伸 / Masanobu Iwaya |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 北海道大学量子界面エレクトロニクス研究センター:北海道大学工学研究科電子情報工学専攻 Research Center for Interface Quantum Electronics, Hokkaido University:Graduate School of Electronics and Information Engineering, Hokkaido University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 葛西 誠也 / Seiya Kasai |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 北海道大学量子界面エレクトロニクス研究センター:北海道大学工学研究科電子情報工学専攻 Research Center for Interface Quantum Electronics, Hokkaido University:Graduate School of Electronics and Information Engineering, Hokkaido University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 長谷川 英機 / Hideki Hasegawa |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 北海道大学量子界面エレクトロニクス研究センター:北海道大学工学研究科電子情報工学専攻 Research Center for Interface Quantum Electronics, Hokkaido University:Graduate School of Electronics and Information Engineering, Hokkaido University |
| 発表年月日 | 2001/2/22 |
| 資料番号 | ED2000-264,SDM2000-218 |
| 巻番号（vol） | vol.100 |
| 号番号（no） | 644 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 7 |
| 発行日 | |