| 講演名 | 2001/2/22 単電子パストランジスタ論理を用いた半加算器動作の実証 小野 行徳, 高橋 庸夫, |
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| 抄録(和) | 単電子パストランジスタ論理の要素回路をSOI基板上に作製した。作製した要素回路は、それぞれ独立した入力ゲートを持つ、ほぼ等価な2個の単電子トランジスタより構成される。単電子トランジスタのソースドレイン電極にパス信号を、ゲートに相補信号を入力することにより、半加算器動作を含む基本論理演算動作を25Kの温度で実行した。これは、単電子トランジスタによる算術演算動作を実証するものである。 |
| 抄録(英) | An elemental circuit for single-electron pass-transistor logic is fabricated on a silicon-on-insulator substrate. The circuit consists of two nearly-identical single-electron transistors, each with an individual input gate. By inputting pass signals to the sources and complementary signals to the gates, basic logic operations, including half sum and carry out of the half adder, are successfully achieved at 25 K. This is an experimental demonstration of an arithmetic operation by single-electron transistors. |
| キーワード(和) | 単電子トンネリング / クーロンブロッケード / SOI / 加算器 / 酸化 |
| キーワード(英) | single electron tunneling / Coulomb blockade / SOI / adder / oxidation |
| 資料番号 | ED2000-261,SDM2000-215 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2001/2/22(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 単電子パストランジスタ論理を用いた半加算器動作の実証 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Half-Adder Operation based on Single-Electron Pass-Transistor Logic |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 単電子トンネリング / single electron tunneling |
| キーワード(2)（和/英） | クーロンブロッケード / Coulomb blockade |
| キーワード(3)（和/英） | SOI / SOI |
| キーワード(4)（和/英） | 加算器 / adder |
| キーワード(5)（和/英） | 酸化 / oxidation |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 小野 行徳 / Y. Ono |
| 第 1 著者 所属（和/英） | NTT物性科学基礎研究所 NTT Basic Research Laboratories |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 高橋 庸夫 / Y. Takahashi |
| 第 2 著者 所属（和/英） | NTT物性科学基礎研究所 NTT Basic Research Laboratories |
| 発表年月日 | 2001/2/22 |
| 資料番号 | ED2000-261,SDM2000-215 |
| 巻番号（vol） | vol.100 |
| 号番号（no） | 644 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |