| 講演名 | 2001/2/21 シリコン微結晶を用いたメモリデバイスにおけるドットサイズとサイズのばらつきの影響評価とポテンシャル分布 王 海寧, 間島 秀明, 犬飼 貴士, 後明 寛之, 齋藤 真澄, 平本 俊郎, |
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| 抄録(和) | シリコン微結晶メモリデバイスにおける電子数の制御にドットのサイズとサイズのばらつきが与える影響を数値計算により調べた。クーロンブロケードにより生じる微結晶メモリの閾値シフトの階段状特性は、ドットのサイズあるいはサイズのばらつきが大きくなると見えにくくなる。計算の結果、明瞭な階段状特性を得るためにはドットサイズが8nmと3nmの時、サイズのばらつきはそれぞれ7%と12%以下でなければならないことがわかった。本研究はシリコン微結晶メモリの作製におけるパラメータ設計の指針を与えるものである。 |
| 抄録(英) | Effects of dot size and dot size distribution on electron number control in silicon floating dot memories at room temperature are investigated by numerical calculation. As the dot size increases and the size distribution increases, the staircase feature disappears due to the averaging effects. It is found that, to obtain a distinct staircase feature, the size distribution should be less than 7% for the 8-nm-diameter dot size and 12% for the 3-nm-diameter dot. These results provide good guidelines for setting device parameters for fabricating silicon floating dot memories. |
| キーワード(和) | クーロンブロッケード / シリコン微結晶 / ドットサイズのばらつき / 室温 / MOSFET / 単一電子 |
| キーワード(英) | Coulomb blockade / silicon nanocrystal floating dot / dot size distribution / room temperature / MOSFET / single electron |
| 資料番号 | ED2000-258,SDM2000-212 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2001/2/21(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | シリコン微結晶を用いたメモリデバイスにおけるドットサイズとサイズのばらつきの影響評価とポテンシャル分布 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Effects of Dot Size and its Distribution on Electron Number Control and Distribution of Potential in MOSFET Memories Based on Silicon Nanocrystal Floating Dots |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | クーロンブロッケード / Coulomb blockade |
| キーワード(2)（和/英） | シリコン微結晶 / silicon nanocrystal floating dot |
| キーワード(3)（和/英） | ドットサイズのばらつき / dot size distribution |
| キーワード(4)（和/英） | 室温 / room temperature |
| キーワード(5)（和/英） | MOSFET / MOSFET |
| キーワード(6)（和/英） | 単一電子 / single electron |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 王 海寧 / Haining Wang |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京大学生産技術研究所 Institute of Industrial Science, University of Tokyo |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 間島 秀明 / Hideaki Majima |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京大学生産技術研究所 Institute of Industrial Science, University of Tokyo |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 犬飼 貴士 / Takashi Inukai |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東京大学生産技術研究所 Institute of Industrial Science, University of Tokyo |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 後明 寛之 / Hiroyuki Gomyo |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東京大学生産技術研究所 Institute of Industrial Science, University of Tokyo |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 齋藤 真澄 / Masumi Saitoh |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 東京大学生産技術研究所 Institute of Industrial Science, University of Tokyo |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 平本 俊郎 / Toshiro Hiramoto |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 東京大学生産技術研究所:東京大学大規模集積システム設計教育研究センター: Institute of Industrial Science, University of Tokyo:VLSI Design and Education Center, University of Tokyo:CREST, Japan Science and Technology Corporation(JST) |
| 発表年月日 | 2001/2/21 |
| 資料番号 | ED2000-258,SDM2000-212 |
| 巻番号（vol） | vol.100 |
| 号番号（no） | 643 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |