| 講演名 | 2001/2/21 シリコン量子ドットフローティングゲートMOS構造の電子注入特性とメモリ機能 香野 淳, 池田 弥央, 村上 秀樹, 宮崎 誠一, 廣瀬 全孝, |
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| 抄録(和) | 自己組織化形成したシリコン量子ドット(QD)をメモリノードとして絶縁膜中に埋め込んだフローティングゲートMOS(metal-oxide-semiconductor)構造を作製し、ドットへの電子注入、電荷保持特性を明らかにすると共に、室温でメモリ動作することを実証した。Si QDフローティングゲートMOSトランジスタのドレイン電流-ゲート電圧特性に、ドットへの電子注入に基づく特徴的なヒステリシスが観測された。またゲート電圧を一定に保持してドットに電子注入した場合, ドレイン電流が時間に対して段階的に減少することを見出し, ドットの帯電状態は準安定状態を経て最終安定状態に達することが分かった。更に, パルスゲート電圧印加時の過渡ドレイン電流特性から、ドットへの電子注入はゲート電圧値に対して多段階的に起こることを明らかにした。 |
| 抄録(英) | Metal-oxide-semiconductor(MOS)structures with silicon quantum-dots(QDs)embedded in the gate oxide as a floating gate have been designed and fabricated, and their memory operation has been demonstrated at room temperature. The unique hysteresis and the current bumps in drain current versus gate voltage characteristics of QD floating gate MOS field-effect transistors(FETs)have been interpreted in terms of the electron charging to the QD floating gate. From the analysis of the transient drain-current characteristics for a single-pulse gate bias, we also confirm that the electron charging of QDs takes place to be multiple stages until reaching the stable state for one electron per dot. |
| キーワード(和) | シリコン量子ドット / フローティングゲート / メモリ / 電子注入 / しきい値電圧シフト |
| キーワード(英) | silicon quantum-dot / floating gate / memory / electron charging / threshold voltage shift |
| 資料番号 | ED2000-257,SDM2000-211 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2001/2/21(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | シリコン量子ドットフローティングゲートMOS構造の電子注入特性とメモリ機能 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Electron charging characteristics and memory function of silicon quantum-dot floating gate MOS structures |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | シリコン量子ドット / silicon quantum-dot |
| キーワード(2)（和/英） | フローティングゲート / floating gate |
| キーワード(3)（和/英） | メモリ / memory |
| キーワード(4)（和/英） | 電子注入 / electron charging |
| キーワード(5)（和/英） | しきい値電圧シフト / threshold voltage shift |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 香野 淳 / Atsushi Kohno |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 福岡大学理学部 Department of Aplied Physics, Fukuoka University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 池田 弥央 / Mitsuhisa Ikeda |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 広島大学工学部 Department of Electrical Engineering, Hiroshima University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 村上 秀樹 / Hideki Murakami |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 広島大学工学部 Department of Electrical Engineering, Hiroshima University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 宮崎 誠一 / Seiichi Miyazaki |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 広島大学工学部 Department of Electrical Engineering, Hiroshima University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 廣瀬 全孝 / Masataka Hirose |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 広島大学工学部 Department of Electrical Engineering, Hiroshima University |
| 発表年月日 | 2001/2/21 |
| 資料番号 | ED2000-257,SDM2000-211 |
| 巻番号（vol） | vol.100 |
| 号番号（no） | 643 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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