| 講演名 | 2001/2/21 垂直型ショットキーソースドレインMOSFETの作製 筒井 将史, 長井 利明, 浅田 雅洋, |
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| 抄録(和) | Si基板上のエピタキシャル成長可能なCaF2系ヘテロ構造を用いた共鳴トンネル素子を回路に応用するために、垂直型ショットキーソース/ドレインMOSFETと組み合わせた素子を提案した。またこの素子実現のために、電子ビーム露光によるパターン形成とシリサイドプロセスを用いて、自己整合対面ゲート構造を持つチャネル長50nmのPtSiショットキーソースドレイン垂直MOSFETを作製した。ゲート酸化膜8nm、Si幅8nmの素子においてトランジスタ動作が確認されドレイン電流-2.0μA/μm、on/off比250が得られた。理論特性に比べて特性劣化があるが酸化膜形成プロセスの改善とゲート酸化膜の薄膜化で、on/off比とオン電流の向上が見込めることを示した。 |
| 抄録(英) | We report on fabrication and characteristics of PtSi Schottky source/drain vertical MOSFETs. The lateral thicknesses of the Si Channel were 8nm, 20nm and 30nm, and the vertical channel length was 50nm. The on/off ration for 8nm-thick device was 250. Although the drain current at the "on" state is not large at present due to thick gate oxide, it can much improved by reducing the oxide thickness. |
| キーワード(和) | ショットキーソース/ドレインMOSFET / 縦型トランジスタ / PtSi/Si |
| キーワード(英) | Schottky source/drain MOSFET / vertical transistor / PtSi/Si |
| 資料番号 | ED2000-256,SDM2000-210 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2001/2/21(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 垂直型ショットキーソースドレインMOSFETの作製 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabrication of PtSi Schottky Source/Drain vertical MOSFET |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ショットキーソース/ドレインMOSFET / Schottky source/drain MOSFET |
| キーワード(2)（和/英） | 縦型トランジスタ / vertical transistor |
| キーワード(3)（和/英） | PtSi/Si / PtSi/Si |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 筒井 将史 / M. Tsutsui |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京工業大学工学部電気電子工学科 Department of Electrical and Electronic Eng., Tokyo Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 長井 利明 / T. Nagai |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京工業大学工学部電気電子工学科 Department of Electrical and Electronic Eng., Tokyo Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 浅田 雅洋 / M. Asada |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東京工業大学物理情報システム創造専攻 Inerdisciplinary Graduate School of Science and Engineering, Tokyo Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2001/2/21 |
| 資料番号 | ED2000-256,SDM2000-210 |
| 巻番号（vol） | vol.100 |
| 号番号（no） | 643 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |