| 講演名 | 2001/2/21 走査トンネル分光で見たGaAs(001)面上InAs, InGaAs量子ドットの量子サイズ効果と合金化 山内 武志, 大山 泰明, 松葉 康, 田渕 雅夫, 中村 新男, |
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| 抄録(和) | GaAs(001)面上に自己形成した量子ドットの構造と電子状態の関係を走査トンネル顕微鏡/走査トンネル分光によって調べた。InAs量子ドットの場合、ギャップエネルギーのドット高さ依存性から、高さ方向の閉じこめ効果が主としてギャップを決めていることがわかった。また、In_<0.46>Ga_<0.54>Asドットの場合には、ドット内部においてIn濃度が約0.7に増加していることを考慮すると、ギャップの高さ依存性が説明できることがわかった。即ち、In_<0.46>Ga_<0.54>Asドットでは、ドット成長時に合金化が起きていることをこの結果は示している。 |
| 抄録(英) | Using scanning tunneling spectroscopy, we have investigated a correlation between a electronic structure and morphological structure of InAs and InGaAs quantum dots(QDs)grown on GaAs(001). The observed height dependence of the gap energy has been well reproduced by the calculated one. For InAs QDs, comparison of the observed dependence with the calculated one indicates that the gap energy of a single InAs QD is mainly determined by the quantum confinement in the vertical direction of the QD. For In_<0.46>Ga_<0.54>As QDs, however, the comparison shows that enrichment of In-composition in the dot compared to the nominal composition. |
| キーワード(和) | InAs / InGaAs / 量子ドット / 量子サイズ効果 / 合金化 / STM / STS |
| キーワード(英) | InAs / InGaAs / quantum dot / quantum-size-effect / alloying / STM / STS |
| 資料番号 | ED2000-252,SDM2000-206 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2001/2/21(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 走査トンネル分光で見たGaAs(001)面上InAs, InGaAs量子ドットの量子サイズ効果と合金化 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Study on quantum-size effects and alloying effects of InAs-and InGaAs-quantum dots on GaAs(001)using scanning tunneling spectroscopy |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | InAs / InAs |
| キーワード(2)（和/英） | InGaAs / InGaAs |
| キーワード(3)（和/英） | 量子ドット / quantum dot |
| キーワード(4)（和/英） | 量子サイズ効果 / quantum-size-effect |
| キーワード(5)（和/英） | 合金化 / alloying |
| キーワード(6)（和/英） | STM / STM |
| キーワード(7)（和/英） | STS / STS |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 山内 武志 / T. Yamauchi |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 科学技術振興事業団CREST CREST of Japan Science and Technology Corporation(JST) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 大山 泰明 / Y. Ohyama |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋大学工学研究科 Graduate school of engineering, Nagoya University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 松葉 康 / Y. Matsuba |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名古屋大学工学研究科 Graduate school of engineering, Nagoya University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 田渕 雅夫 / M. Tabuchi |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 名古屋大学工学研究科 Graduate school of engineering, Nagoya University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 中村 新男 / A. Nakamura |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 科学技術振興事業団CREST:理工科学総合研究センター CREST of Japan Science and Technology Corporation(JST):Center for Integrated Research in Science and Engineering, Nagoya University |
| 発表年月日 | 2001/2/21 |
| 資料番号 | ED2000-252,SDM2000-206 |
| 巻番号（vol） | vol.100 |
| 号番号（no） | 643 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |