| 講演名 | 2001/2/21 (111)A面上のInAs/GaAsヘテロ構造と表面電子波のSTM観察 山口 浩司, 蟹沢 聖, 平山 祥郎, |
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| 抄録(和) | GaAs(111)A表面上のInAs成長では、7%もの大きな格子不整合にもかかわらず、InAsは原子レベルで均一な薄膜を形成する。このInAs薄膜表面は、(1)電子蓄積による表面2次元チャネルの形成、(2)サブオングストロームレベルで平坦な再構成表面、(3)電気的に外部と結合したナノ構造の自己形成、という3つの特徴をもつ。この特徴を生かし、低温STMを用いた半導体ナノ構造中の電子波の観測に初めて成功した。 |
| 抄録(英) | On GaAs(111)A Substrates, atomically flat InAs thin film can be grown despite of the large lattice mismatch of 7%. This surface has unique features that(i)2D surface electron channel is naturally formed, (ii)the(2x2)surface reocnstruction has very small corrugation of only sub-angstrom scale, and(iii)electrically unisolated nano-scale structures are self-organized during the growth. Utilizing these features, we have successfully observed the standing wave of zero-dimensional electronic states in semiconductor zero-dimensional nanostructures by scanning tunneling microscopy. |
| キーワード(和) | 半導体ナノ構造 / 量子ドット / 電子波 / 低温STM / 高指数表面 |
| キーワード(英) | Nanostructures / quantum dots / electron wave / low-temperature STM |
| 資料番号 | ED2000-251,SDM2000-205 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2001/2/21(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | (111)A面上のInAs/GaAsヘテロ構造と表面電子波のSTM観察 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | STM Observation of surface electron wave on InAs/GaAs(111)A heterostructures |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 半導体ナノ構造 / Nanostructures |
| キーワード(2)（和/英） | 量子ドット / quantum dots |
| キーワード(3)（和/英） | 電子波 / electron wave |
| キーワード(4)（和/英） | 低温STM / low-temperature STM |
| キーワード(5)（和/英） | 高指数表面 |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 山口 浩司 / Hiroshi Yamaguchim |
| 第 1 著者 所属（和/英） | NTT物性科学基礎研究所 NTT Basic Research Laboratories |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 蟹沢 聖 / Kiyoshi Kanosawa |
| 第 2 著者 所属（和/英） | NTT物性科学基礎研究所 NTT Basic Research Laboratories |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 平山 祥郎 / Yoshiro Hirayama |
| 第 3 著者 所属（和/英） | NTT物性科学基礎研究所 NTT Basic Research Laboratories |
| 発表年月日 | 2001/2/21 |
| 資料番号 | ED2000-251,SDM2000-205 |
| 巻番号（vol） | vol.100 |
| 号番号（no） | 643 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 7 |
| 発行日 | |