| 講演名 | 2001/2/21 n-Si(001)上に形成した極薄絶縁膜/Si界面の超高真空対応非接触C-V法による評価 庄子 亮平, 橋詰 保, 吉田 俊幸, 赤澤 正道, 長谷川 英機, |
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| 抄録(和) | 水素終端処理を施したn-Si(001)上に種々の低温プロセスにより、極薄絶縁膜を形成し、界面特性を超高真空対応非接触C-V法およびXPS法を用いて評価した。ドライ熱酸化法では、酸化温度が低くなるに従い、著しく界面準位密度は増加し、ミッドギャップ付近に離散準位が発生することがわかった。ECR-N_2Oプラズマを用いて直接酸窒化により形成した極薄酸窒化膜/Si界面では、400°Cの低温プロセスでありながら、比較的良好な界面特性が得られ、低温ドライ熱酸化法では発生した離散準位は観測されなかった。また、900°CのUHVアニールによって界面準位密度は大幅に減少することが明らかになった。 |
| 抄録(英) | Ultrathin insulator/Si interfaces formed by various low temperature processes were characterized by UHV contactless C-V and XPS methods. For the SiO_2/Si interfaces prepared by a thermal oxidation process using dry O_2, the interface state density was increased with decreasing the oxidation temperature. In addition, lower temperature process was found to produce a discrete defect level near midgap. The ECR-excited N_2O plasma process at 400°C realized the interface with relatively low interface state density and wide destribution. Furthermore improvement of interface properties were achieved by the UHV annealing process at 900°C. |
| キーワード(和) | Si / 非接触C-V / 水素終端表面 / 極薄絶縁膜 / ECR-N_2Oプラズマ |
| キーワード(英) | Si / contactless capacitance-voltage / hyfrogen-termination / ultrathin insulator / Si / ECR-N_2O plasma |
| 資料番号 | ED2000-249,SDM2000-203 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2001/2/21(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | n-Si(001)上に形成した極薄絶縁膜/Si界面の超高真空対応非接触C-V法による評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Characterization of ultrathin insulator/Si interfaces formed on n-Si(001)by UHV contactless capacitance-voltage method |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | Si / Si |
| キーワード(2)（和/英） | 非接触C-V / contactless capacitance-voltage |
| キーワード(3)（和/英） | 水素終端表面 / hyfrogen-termination |
| キーワード(4)（和/英） | 極薄絶縁膜 / ultrathin insulator |
| キーワード(5)（和/英） | ECR-N_2Oプラズマ / Si |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 庄子 亮平 / Ryouhei SHOUJI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 北海道大学工学研究科電子情報工学専攻 Graduate School of Electronics and Information Engineering Hokkaido University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 橋詰 保 / Tamotsu HASHIZUME |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 北海道大学量子界面エレクトロニクス研究センター Research Center for Interface Quantum Electronics Hokkaido University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 吉田 俊幸 / Toshiyuki YOSHIDA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 北海道大学工学研究科電子情報工学専攻 Graduate School of Electronics and Information Engineering Hokkaido University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 赤澤 正道 / Masamichi AKAZAWA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 北海道大学工学研究科電子情報工学専攻 Graduate School of Electronics and Information Engineering Hokkaido University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 長谷川 英機 / Hideki HASEGAWA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 北海道大学工学研究科電子情報工学専攻:北海道大学量子界面エレクトロニクス研究センター Graduate School of Electronics and Information Engineering Hokkaido University:Research Center for Interface Quantum Electronics Hokkaido University |
| 発表年月日 | 2001/2/21 |
| 資料番号 | ED2000-249,SDM2000-203 |
| 巻番号（vol） | vol.100 |
| 号番号（no） | 643 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 8 |
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