| 講演名 | 2001/2/21 エピタキシャル弗化物上への位置制御された金属極微細構造の選択形成 山田 聡, 平林 文人, 筒井 一生, |
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| 抄録(和) | Si基板上にエピタキシャル成長したCaF_2薄膜表面上に集束電子ビームを直接照射し、その後にこの露光位置に金属等を自然形成的に選択凝集させて極微細構造を形成する技術を検討している。堆積金属として、従来のGaに加えてAlによる構造形成を比較検討し、Alのほうが電子線照射領域への濡れ性が高く、ドットアレイのみでなくGaでは困難だった細線構造も同時形成できることを示した。また、金属堆積前にCaF_2を再成長するプロセスを検討し、従来法に比べてGaドットアレイが良好な選択性をもって形成できることを示した。 |
| 抄録(英) | Epitaxial CaF_2 films grown on Si substrates were exposed to an focused electron beam directly, and after that, Ga or Al were supplied on the surface so that nanostructures of these metals were spontaneously formed on the exposed sites. Al was fond to be superior to Ga for formation of structures not only dot array structures but also wire structures. This is because wettability of Al is better on the beam exposed CaF_2 surfaces. The other improved process using regrowth of CaF_2 was investigated as well, and it was found that this process provided good selectivity on formation of high density Ga dot array structures. |
| キーワード(和) | 量子ドット / 量子細線 / 電子ビーム / 位置制御 / CaF_2 / Ga / Al |
| キーワード(英) | quantum dot / quantum wire / electron beam / site control / CaF_2 / Ga / Al |
| 資料番号 | ED2000-247,SDM2000-201 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2001/2/21(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | エピタキシャル弗化物上への位置制御された金属極微細構造の選択形成 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Selective formation of site-controlled metal nanostructures o epitaxial fluoride films |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 量子ドット / quantum dot |
| キーワード(2)（和/英） | 量子細線 / quantum wire |
| キーワード(3)（和/英） | 電子ビーム / electron beam |
| キーワード(4)（和/英） | 位置制御 / site control |
| キーワード(5)（和/英） | CaF_2 / CaF_2 |
| キーワード(6)（和/英） | Ga / Ga |
| キーワード(7)（和/英） | Al / Al |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 山田 聡 / Satoshi Yamada |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京工業大学大学院総合理工学研究科 Interdisciplinary Graduate School of Science and Engineering, Tokyo Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 平林 文人 / Fumihito Hirabayashi |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京工業大学大学院総合理工学研究科 Interdisciplinary Graduate School of Science and Engineering, Tokyo Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 筒井 一生 / Kazuo Tsutsui |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東京工業大学大学院総合理工学研究科 Interdisciplinary Graduate School of Science and Engineering, Tokyo Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2001/2/21 |
| 資料番号 | ED2000-247,SDM2000-201 |
| 巻番号（vol） | vol.100 |
| 号番号（no） | 643 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |