| 講演名 | 2001/2/21 選択成長法によるシリコン基板上へのGaNドット列の作製 山口 雅史, 本田 善央, 澤木 宣彦, |
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| 抄録(和) | (111)Si基板上に電子線露光法によって直径250nm以下の大きさの円形窓列(周期350nm)を有するシリコン酸化膜を作製し, これをマスクとして, 有機金属気相成長(MOVPE)法によってGaNの選択成長を行った.窓部には, 底面の差し渡しが250nm程度の六角錐GaNドット列が得られた.六角錘GaNドットの頂上には極めて平坦なc面が得られ, その大きさは50nmとなった.サファイア基板上への成長した六角錐GaNドットに比べて, ファセットの形状が鮮明で, 光学的性質にも比較的優れ, GaN量子ドット列を得るのにSi基板上に作製した方がより都合がいいことが分かった. |
| 抄録(英) | We have fabricated sub-micron GaN dots array on(111)Si substrate by metal organic vapor phase epitaxy(MOVPE)selective area growth. The SiO_2 mask for the selective area growth was prepared with electron beam lithography system and the circle window diameter of the mask was less than 250 nm. The bottom and top surface size of the fabricated GaN dots was about 250 nm and 50 nm, respectively. In comparison with the GaN dots grown on sapphire substrate, the shape of the facet was found to be clear. The optical properties in the GaN dot on Si substrate are relatively good. Therefore, the(111)Si substrate is suitable for the fabrication of the GaN quantum dots. |
| キーワード(和) | GaN / (111)Si基板 / 選択成長 / 電子線露光 / MOVPE法 / 六角錘ドット |
| キーワード(英) | GaN dot / (111)Si substrate / selective area growth / electron beam lithography / MOVPE |
| 資料番号 | ED2000-246,SDM2000-200 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2001/2/21(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 選択成長法によるシリコン基板上へのGaNドット列の作製 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabrication of GaN dots array on Si substrate by selective area growth method |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN dot |
| キーワード(2)（和/英） | (111)Si基板 / (111)Si substrate |
| キーワード(3)（和/英） | 選択成長 / selective area growth |
| キーワード(4)（和/英） | 電子線露光 / electron beam lithography |
| キーワード(5)（和/英） | MOVPE法 / MOVPE |
| キーワード(6)（和/英） | 六角錘ドット |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 山口 雅史 / Masahito Yamaguchi |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋大学大学院工学研究科電子工学専攻 Department of Electronics, Graduate School of Engineering, Nagoya University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 本田 善央 / Yoshio Honda |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋大学大学院工学研究科電子工学専攻 Department of Electronics, Graduate School of Engineering, Nagoya University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 澤木 宣彦 / Nobuhiko Sawaki |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名古屋大学大学院工学研究科電子工学専攻 Department of Electronics, Graduate School of Engineering, Nagoya University |
| 発表年月日 | 2001/2/21 |
| 資料番号 | ED2000-246,SDM2000-200 |
| 巻番号（vol） | vol.100 |
| 号番号（no） | 643 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |