| 講演名 | 2001/2/21 加工微傾斜基板による周期的多段原子ステップ構造の形成とその応用 小田 康裕, 原田 俊文, 本久 順一, 福井 孝志, |
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| 抄録(和) | 結晶成長前にパターン加工したGaAs(001)微傾斜基板を用い、この上で生じるMOVPE結晶成長時の自己組織化機構を用いることにより、様々な半導体ナノ構造を形成し、その評価を行った。まず、[110]方向に一定周期の溝を作製した加工微傾斜基板上では、パターン周期に等しい、周期の整った多段原子ステップ構造が形成されることが明らかになった。また、パターン形状を変えることで、多段原子ステップが周期的に交差した鱗構造などの複雑な表面構造を形成可能であることが示された。また、これらの表面構造上ではステップ端部とテラス部とで成長速度に差があることが明らかとなった。これらの結果から、加工微傾斜基板によって形状が制御された表面構造上に量子構造を形成可能であることが示された。 |
| 抄録(英) | We developed a method to fabricate various kind of semiconductor nano-structures using self-organized method in MOVPE crystal growth on patterned GaAs(001)vicinal substrates. Periodic mutiatomic step structures are formed on the patterned vicinal substrate misoriented towards the[-110]direction with a line & space pattern along the[110]direction. In a crossed line & space pattern, square scale structures can be formed with crossed multiatomic steps. We found that growth rate was different between step edges and terrace regions on the surface of these structures. These results demonstrated that it is possible to fabricate various kind of quantum structures with controllability of periodicity. |
| キーワード(和) | GaAs(001)微傾斜基板 / 加工基板 / ステップバンチング / 量子構造 / MOVPE |
| キーワード(英) | GaAs(001)vicinal substrate / patterned substrate / step bunching / quantum structure / MOVPE |
| 資料番号 | ED2000-244,SDM2000-198 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2001/2/21(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 加工微傾斜基板による周期的多段原子ステップ構造の形成とその応用 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabrication and characterization of periodic multiatomic step structures on patterned vicinal substrates and its applications |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaAs(001)微傾斜基板 / GaAs(001)vicinal substrate |
| キーワード(2)（和/英） | 加工基板 / patterned substrate |
| キーワード(3)（和/英） | ステップバンチング / step bunching |
| キーワード(4)（和/英） | 量子構造 / quantum structure |
| キーワード(5)（和/英） | MOVPE / MOVPE |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 小田 康裕 / Yasuhiro ODA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 北海道大学量子界面エレクトロニクス研究センター Research Center for Interface Quantum Electronics Hokkaido University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 原田 俊文 / Toshifumi HARADA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 北海道大学量子界面エレクトロニクス研究センター Research Center for Interface Quantum Electronics Hokkaido University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 本久 順一 / Junichi MOTOHISA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 北海道大学量子界面エレクトロニクス研究センター Research Center for Interface Quantum Electronics Hokkaido University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 福井 孝志 / Takashi FUKUI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 北海道大学量子界面エレクトロニクス研究センター Research Center for Interface Quantum Electronics Hokkaido University |
| 発表年月日 | 2001/2/21 |
| 資料番号 | ED2000-244,SDM2000-198 |
| 巻番号（vol） | vol.100 |
| 号番号（no） | 643 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 8 |
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