| 講演名 | 2001/2/21 GS-MBEの選択成長を用いたc-Si/SiO_2低次元構造の作製 瀬川 徹, 松本 智, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ | PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | 本研究では, 選択成長という優れた特徴をもつSi-GSMBE法, 電子線リソグラフィー法, および等方的ウエットエッチングを組み合わせた非常にシンプルなプロセスでc-Si/SiO_2低次元構造(0次, 1次元系)を作製する方法を提案する.本手法は, その密度がリソグラフィーの分解能や酸化膜厚に制約を受けるものの, 均一性の良い, 大きさのそろったSi量子ドット, Si量子細線構造が作製できる.本稿では, その結晶構造, 均一性, 結晶成長の機構をAFM, FE-SEM, およびHR-TEMで評価した.また, 大きさ, 密度, 周期が制御されたc-Si/SiO_2結晶構造の光学的特性をカソードルミネッセンス(CL)法を用いて評価した. |
| 抄録(英) | We proposed the very simple process for fabricating c-Si/SiO_2 low dimensional structure(zero or one dimensional system)using selective epitaxial growth by Si-GSMBE which has very accurate film-thickness controllability, and isotropic wet etching with Electron Beam lithography. Also, we investigated the crystal structure, the uniformity of crystal, and the mechanism of crystal growth by using AFM, FE-SEM, and HR-TEM. Finally, optical properties of c-Si/SiO_2 crystal structures with controlled size, density, and period were evaluated by Cathodo-Luminescence(CL). |
| キーワード(和) | GS-MBE / 選択成長 / 低次元構造 / 光学的特性 / カソードルミネッセンス法 |
| キーワード(英) | GS-MBE / selective epitaxial growth / low dimensional structure / optical properties / CL |
| 資料番号 | ED2000-243,SDM2000-197 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
|---|---|
| 開催期間 | 2001/2/21(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | GS-MBEの選択成長を用いたc-Si/SiO_2低次元構造の作製 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabrication of c-Si/SiO_2 low dimensional structure using selective epitaxial growth by gas source molecular beam epitaxy |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GS-MBE / GS-MBE |
| キーワード(2)（和/英） | 選択成長 / selective epitaxial growth |
| キーワード(3)（和/英） | 低次元構造 / low dimensional structure |
| キーワード(4)（和/英） | 光学的特性 / optical properties |
| キーワード(5)（和/英） | カソードルミネッセンス法 / CL |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 瀬川 徹 / Toru SEGAWA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 慶應義塾大学大学院理工学研究科電気工学専攻 Department of Electronics and Electrical Engineering, Keio University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 松本 智 / Satoru MATSUMOTO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 慶應義塾大学大学院理工学研究科電気工学専攻 Department of Electronics and Electrical Engineering, Keio University |
| 発表年月日 | 2001/2/21 |
| 資料番号 | ED2000-243,SDM2000-197 |
| 巻番号（vol） | vol.100 |
| 号番号（no） | 643 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 8 |
| 発行日 | |