| 講演名 | 2000/10/13 SiGe選択エピタキシャル成長前の基板表面清浄化方法がHBT特性に与える影響の検討 清田 幸弘, 小田 克矢, 大植 栄司, 速水 礼子, 近藤 将夫, 鷲尾 勝由, 田邊 正倫, 島本 裕巳, 山口 修, 稲田 太郎, |
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| 抄録(和) | UHVCVDによるSiGe選択エピタキシャル成長前の基板表面清浄化方法として, 大流量H_2アニール, 高真空アニール, Si_2H_6によるガスエッチを検討した。その結果, 基板表面の酸素, 炭素, ボロンなどを完全に除去するためにはH_2アニールが必須であることがわかった。高真空アニールやSi_2H_6ガスエッチではコレクタ電流にリークが起こりやすいが, H_2アニールを行えばその問題が無く, 電気的にも良好な結晶が成長できていることがわかった。基板表面清浄化にH_2アニールを用いることでSiGeHBTの歩留まりが大きく向上することを明らかにした。 |
| 抄録(英) | Hydrogen annealing, Si_2H_6 gas etching, and vacuum annealing were applied to pre-cleaning of SiGe selective epitaxial growth by UHVCVD. It was clarified that H_2 annealing was necessary to completely remove contamination such as oxide, carbon, and boron at the interface. SiGe HBTs with Si_2H_6 gas etching, and vacuum annealing tended to show leaky collector current, however, those with H_2 annealing overcome the problem. Good crystallinity of the epitaxlal layers with the H_2 annealing increases the yield of HBTs. |
| キーワード(和) | UHVCVD / SiGe選択エピタキシャル成長 / H_2アニール / HBT |
| キーワード(英) | Hydrogen annealing / SiGe selective epitaxial growth / UHVCVD / HBT |
| 資料番号 | SDM2000-153 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2000/10/13(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | SiGe選択エピタキシャル成長前の基板表面清浄化方法がHBT特性に与える影響の検討 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Effect of pre-cleaning of SiGe selective epitaxial growth on HBT characteristics |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | UHVCVD / Hydrogen annealing |
| キーワード(2)（和/英） | SiGe選択エピタキシャル成長 / SiGe selective epitaxial growth |
| キーワード(3)（和/英） | H_2アニール / UHVCVD |
| キーワード(4)（和/英） | HBT / HBT |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 清田 幸弘 / Y. Kiyota |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 日立製作所中央研究所 Central Research Laboratory, Hitachi Ltd. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 小田 克矢 / K. Oda |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 日立製作所中央研究所 Central Research Laboratory, Hitachi Ltd. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 大植 栄司 / E. Ohue |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 日立製作所中央研究所 Central Research Laboratory, Hitachi Ltd. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 速水 礼子 / R. Hayami |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 日立製作所中央研究所 Central Research Laboratory, Hitachi Ltd. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 近藤 将夫 / M. Kondo |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 日立製作所中央研究所 Central Research Laboratory, Hitachi Ltd. |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 鷲尾 勝由 / K. Washio |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 日立製作所中央研究所 Central Research Laboratory, Hitachi Ltd. |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 田邊 正倫 / M. Tanabe |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 日立デバイスエンジニアリング Hitachi Device Engineering Co.Ltd |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 島本 裕巳 / H. Shimamoto |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 日立デバイスエンジニアリング Hitachi Device Engineering Co.Ltd |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 山口 修 / O. Yamaguchi |
| 第 9 著者 所属（和/英） | 法政大学工学部 College of Engineering, Hosei University |
| 第 10 著者 氏名（和/英） | 稲田 太郎 / T. Inada |
| 第 10 著者 所属（和/英） | 法政大学工学部 College of Engineering, Hosei UniversityCollege of Engineering, Hosei University |
| 発表年月日 | 2000/10/13 |
| 資料番号 | SDM2000-153 |
| 巻番号（vol） | vol.100 |
| 号番号（no） | 374 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |