| 講演名 | 2000/10/13 高密度Kr/O_2プラズマで低温成膜したシリコン酸化膜、高密度Kr/O_2プラズマ低温照射CVDシリコン酸化膜の膜質に関する研究 高野 順, 斉藤 祐司, 櫻井 稔久, 大見 忠弘, 藪根 辰弘, |
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| 抄録(和) | マイクロ波励起低電子温度高密度プラズマ装置を用いた高密度Kr/O_2プラズマ中で発生する酸素ラジカルによってn-Si(III)基板上に成膜したシリコン酸化膜は、従来の酸素分子を用いた高温熱酸化では成膜することができなかった良質の酸化膜であることをXPS測定によって確かめた。また、シリコンウェハ表面にCVDで成膜したノンドープのシリコン酸化膜(NSG膜)に400℃にてKr/O_2プラズマ照射を行い、その膜のエッチレートを0.5%HFを用いて測定した。エッチレート測定の結果から、Kr/O_2プラズマ照射したNSG膜は従来の高温アニール処理したNSG膜よりも膜質が改善されていることを確認した。CVD酸化膜の膜質改善(アニール効果)は、Kr/O_2プラズマ処理を行うことにより500℃以下の低温で行うことができる。 |
| 抄録(英) | The silicon oxide film has been formed on the silicon substrate with(III)orientation by the oxygen radical generated in high-density Kr/O_2 mixed plasma using newly-developed microwave-excitation plasma system. Measured by XPS, it has been confirmed that the silicon oxide film quality formed by the oxygen radical oxidation is good quality in comparison with the silicon oxide film formed by the conventional oxygen molecule oxidation. The non-doped silicon oxide film formed by CVD method(NSG film)has been irradiated the oxygen radical generated in high-density Kr/O_2 mixed plasma at 400℃. It has been confirmed that the quality of NSG film irradiated oxygen radical is improved compared with the conventional NSG film annealed in high temperature. It has been cleared that the irradiation of oxygen radical generated in high-density Kr/O_2 mixed plasma is improved the quality of NSG film at low temperature less than 500℃. |
| キーワード(和) | プラズマ / 酸化 / シリコン / クリプトン / 酸素 / アニール |
| キーワード(英) | plasma / oxidation / silicon / krypton / oxygen / anneal |
| 資料番号 | SDM2000-150 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2000/10/13(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 高密度Kr/O_2プラズマで低温成膜したシリコン酸化膜、高密度Kr/O_2プラズマ低温照射CVDシリコン酸化膜の膜質に関する研究 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A Study of the qualities of silicon oxide film formed and CVD silicon oxide film irradiated by high-density Kr/O_2 mixed plasma at low temperature |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | プラズマ / plasma |
| キーワード(2)（和/英） | 酸化 / oxidation |
| キーワード(3)（和/英） | シリコン / silicon |
| キーワード(4)（和/英） | クリプトン / krypton |
| キーワード(5)（和/英） | 酸素 / oxygen |
| キーワード(6)（和/英） | アニール / anneal |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 高野 順 / Jun Takano |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東北大学工学部電子工学科 Department of Electronics, Faculty of Engineeriing, Tohoku University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 斉藤 祐司 / Yuji Saito |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東北大学工学部電子工学科 Department of Electronics, Faculty of Engineeriing, Tohoku University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 櫻井 稔久 / Toshihisa Sakurai |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東北大学工学部電子工学科 Department of Electronics, Faculty of Engineeriing, Tohoku University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 大見 忠弘 / Tadahiro Ohmi |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東北大学工学部電子工学科 Department of Electronics, Faculty of Engineeriing, Tohoku University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 藪根 辰弘 / Tatsuhiro Yabune |
| 第 5 著者 所属（和/英） | ステラケミファ株式会社研究部 Research and Development Division, Stella Chemifa Corporation |
| 発表年月日 | 2000/10/13 |
| 資料番号 | SDM2000-150 |
| 巻番号（vol） | vol.100 |
| 号番号（no） | 374 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 8 |
| 発行日 | |