講演名 2000/10/13
金属表面フッ化不動態皮膜の形成と特性
泉 浩人, 菊永 芳弘, 川脇 理謁, 菊山 裕久, 櫻井 稔久, 大見 忠弘,
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抄録(和) フッ素ガスと金属表面との反応に関する研究は古くから行われていたが、形成するフッ化物皮膜を保護皮膜として扱った研究は少ない。半導体製造装置に使用されるステンレス鋼とアルミニウム材の表面とフッ素ガスとの反応を調査し、ステンレス鋼ではフッ化反応後の熱処理によりフッ素に対する耐性が現れた。またアルミニウム材とフッ素ガスとの反応では、材料に含まれるマグネシウムが反応に大きな影響を与えていることを明らかにした。
抄録(英) We have studied the reaction fluorine with metal surface as a passivation film. It has been found that heat treatment after fluoridation on stainless steel surface is key technology, and the heat treated stainless steel surface after fluoridation has corrosion resistance to fluorine gas. It is become clear that magnesium contained aluminum alloy effect the reaction with fluorine, and the increasing magnesium concentration in aluminum alloy become high reaction rate with fluorine gas. Magnesium fluoride film formed on aluminum alloy surface by fluorine passivation, and the film has good resistance against to halogen gas.
キーワード(和) フッ素ガス / フッ化処理 / 耐食性 / 表面処理
キーワード(英) Fluoridation / Fluorine / Passivation / Corrosion resistance
資料番号 SDM2000-149
発行日

研究会情報
研究会 SDM
開催期間 2000/10/13(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Silicon Device and Materials (SDM)
本文の言語 JPN
タイトル(和) 金属表面フッ化不動態皮膜の形成と特性
サブタイトル(和)
タイトル(英) Fluorine Passivation Technology on metal surface
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) フッ素ガス / Fluoridation
キーワード(2)(和/英) フッ化処理 / Fluorine
キーワード(3)(和/英) 耐食性 / Passivation
キーワード(4)(和/英) 表面処理 / Corrosion resistance
第 1 著者 氏名(和/英) 泉 浩人 / Hiroto Izumi
第 1 著者 所属(和/英) ステラケミファ株式会社
Stella Chemifa Corp.
第 2 著者 氏名(和/英) 菊永 芳弘 / Yoshihiro Kikunaga
第 2 著者 所属(和/英) ステラケミファ株式会社
Stella Chemifa Corp.
第 3 著者 氏名(和/英) 川脇 理謁 / Masatsugu Kawawaki
第 3 著者 所属(和/英) ステラケミファ株式会社
Stella Chemifa Corp.
第 4 著者 氏名(和/英) 菊山 裕久 / Hirohisa Kikuyama
第 4 著者 所属(和/英) ステラケミファ株式会社
Stella Chemifa Corp.
第 5 著者 氏名(和/英) 櫻井 稔久 / Toshihisa Sakurai
第 5 著者 所属(和/英) 東北大学工学部電子工学科
Department of Electronics Engineering, Graduate school of Engineering, Tohoku University
第 6 著者 氏名(和/英) 大見 忠弘 / Tadahiro Ohmi
第 6 著者 所属(和/英) 東北大学工学部電子工学科
Department of Electronics Engineering, Graduate school of Engineering, Tohoku University
発表年月日 2000/10/13
資料番号 SDM2000-149
巻番号(vol) vol.100
号番号(no) 374
ページ範囲 pp.-
ページ数 8
発行日