| 講演名 | 2000/10/12 バランスト電子ドリフトマグネトロンプラズマを用いたダメージフリーエッチング技術 海原 竜, 平山 昌樹, 須川 成利, 大見 忠弘, |
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| 抄録(和) | 新たにSiO_2エッチング装置としてバランスト電子ドリフト(BED)マグネトロンプラズマ装置を開発した。ママグネトロンプラズマにおいてプラズマの不均一の原因であるExBドリフトを新たに上部リング状電極を設置し、100MHzを印加することで均一なプラズマを得ることが可能となっている。さらにBEDマグネトロンプラズマを利点として下地シリコン基板へのダメージを抑えることが可能であるという点である。Xeを用いたエッチングガスでエッチングを行うことでカーボン比の高いフロロカーボン膜によりシリコン表面を保護することが可能であることが分かった。Xeガスを用いたBEDマグネトロンエッチング装置を用いることでエッチング後の数十工程のダメージ層除去を省略可能となる |
| 抄録(英) | A new plasma source called balanced electron drift(BED)magnetron plasma has developed for SiO_2 contact/via hole etching. ExB drift of electrons, which is notorious for degrading the uniformity of magnetron plasmas[1], has been completely balanced by applying appropriate 100 MHz rf power to the upper ring electrode. BED magnetron etcher has additional benefit of reducing dopant deactivation in the Si substrate because carbon-rich fluorocarbon film can protect Si surface from high-energy ion bombardment during over-etch period. BED magnetron etcher using Xe gas can reduce a few tens of process steps after contact etch. |
| キーワード(和) | バランスト電子ドリフト / ExBドリフト / マグネトロンプラズマ / ダメージフリーエッチング |
| キーワード(英) | Balanced Electron Drift / ExB Drift / Magnetron Plasma / Damage-free etching |
| 資料番号 | SDM2000-143 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2000/10/12(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | バランスト電子ドリフトマグネトロンプラズマを用いたダメージフリーエッチング技術 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Damage-free Contact Etching using Balanced Electron Drift Magnetron Plasma |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | バランスト電子ドリフト / Balanced Electron Drift |
| キーワード(2)（和/英） | ExBドリフト / ExB Drift |
| キーワード(3)（和/英） | マグネトロンプラズマ / Magnetron Plasma |
| キーワード(4)（和/英） | ダメージフリーエッチング / Damage-free etching |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 海原 竜 / Ryu Kaihara |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東北大学大学院電子工学専攻 Department of Electronic Engineering, Graduate School of Engineering, Tohoku University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 平山 昌樹 / Masaki Hirayama |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東北大学大学院電子工学専攻 Department of Electronic Engineering, Graduate School of Engineering, Tohoku University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 須川 成利 / Shigetoshi Sugawa |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東北大学大学院電子工学専攻 Department of Electronic Engineering, Graduate School of Engineering, Tohoku University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 大見 忠弘 / Tadahiro Ohmi |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 未来科学技術共同研究センター New Industry Creation Hatchery Center, Tohoku University |
| 発表年月日 | 2000/10/12 |
| 資料番号 | SDM2000-143 |
| 巻番号（vol） | vol.100 |
| 号番号（no） | 373 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |