| 講演名 | 2000/5/11 FACELO(ファセット制御ELO)によるGaNの低転位化 水谷 広光, 西山 克哉, 元垣内 敦司, 三宅 秀人, 平松 和政, 家近 泰, 前田 尚良, |
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| 抄録(和) | 減圧MOVPEを用いたELOでGaNのファセットは、リアクタ圧力・成長温度により制御される。我々はこのファセット制御技術を用いて転位の伝搬を制御する成長法、FACELO(ファセット制御ELO)を提案している。2種類のFACELOでGaNの低転位密度化を試みた。第1に{112^^~0}ファセットからのELOでは、転位が窓部を貫通し、マスク上で低転位になる。第2に{112^^~2}ファセットからのELOでは、転位がマスクの中央にだけ存在し、窓部で低転位になる。後者のFACELOでは、ファセット制御による転位の伝搬制御とVoidによる転位の終端効果が得られ、これによりGaNの転位密度を10^6-10^7cm^<-2>に再現良く大幅に低減することができた。 |
| 抄録(英) | Facet structures of ELO-GaN via low-pressure metalorganic vapor phase epitaxy(LP-MOVPE) are controlled by reactor pressure and growth temperature. We proposed a growth technique with controlling dislocations running be means of the facet controlled ELO;FACELO(Facet Controlled ELO). In order to reduce dislocation density in GaN. Two types of the FACELO are attemped. For the FACELO with {112^^~0}facet, the dislocations concentrate above the window area. For the FACELO with {112^^~2}facet, the dislocations concentrate only above the center of the masks. In the latter FACELO, the dislocation density is dramatically dropped to the order of 10^6cm^<-2> with good reproducibility. |
| キーワード(和) | GaN / ファセット制御ELO(FACELO) / MOVPE / 転位密度 |
| キーワード(英) | GaN / Facet Controlled Epitaxial Lateral Overgrowth(FACELO) / MOVPE / dislocation density |
| 資料番号 | ED2000-22,CPM2000-7,SDM2000-22 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2000/5/11(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | FACELO(ファセット制御ELO)によるGaNの低転位化 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Reduction of dislocation density in GaN using FACELO (Facet Controlled Epitaxial Lateral Overgrowth) |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | ファセット制御ELO(FACELO) / Facet Controlled Epitaxial Lateral Overgrowth(FACELO) |
| キーワード(3)（和/英） | MOVPE / MOVPE |
| キーワード(4)（和/英） | 転位密度 / dislocation density |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 水谷 広光 / Hiromitsu Mizutani |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 三重大学工学部電気電子工学科 Dept.of Electrical and Electronic Engineering, Mie Univ. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 西山 克哉 / Katsuya Nishiyama |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 三重大学工学部電気電子工学科 Dept.of Electrical and Electronic Engineering, Mie Univ. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 元垣内 敦司 / Atsushi Motogaito |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 三重大学工学部電気電子工学科 Dept.of Electrical and Electronic Engineering, Mie Univ. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 三宅 秀人 / Hideto Miyake |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 三重大学工学部電気電子工学科 Dept.of Electrical and Electronic engineering, Mie Univ. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 平松 和政 / Kazumasa Hiramatsu |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 三重大学工学部電気電子工学科 Dept.of Electrical and Electronic Engineering, Mie Univ. |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 家近 泰 / Yasushi Iyechika |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 住友化学工業(株)筑波研究所 Tsukuba Research Laboratory, Sumitomo Chemical Co., Ltd |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 前田 尚良 / Takayoshi Maeda |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 住友化学工業(株)筑波研究所 Tsukuba Research Laboratory, Sumitomo Chemical Co., Ltd |
| 発表年月日 | 2000/5/11 |
| 資料番号 | ED2000-22,CPM2000-7,SDM2000-22 |
| 巻番号（vol） | vol.100 |
| 号番号（no） | 61 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |