| 講演名 | 2000/6/23 薄層SOIパワーMOSFETの高周波特性に対する寄生バイポーラ効果の影響 平岡 靖史, 松本 聡, 酒井 達郎, |
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| 抄録(和) | SOlデバイスにおける寄生バイポーラ・トランジスタが高周波特性に与える影響について、シミュレーションを用いて検討した。回路シミュレーション用のデバイス・パラメータは2次元デバイス・シミュレーションから抽出した。また、デバイスシミュレーションにおける不純物濃度等のパラメータは、実デバイスの特性をもとに合わせ込みを行った。今回はトランジェント・シミュレーションとハーモニック・バランス・シミュレーションの2種類の回路シミュレーションを行った。その結果、通常のSOlデバイスでは寄生バイポーラ効果によってゲイン、電力付加効率等のRF特性が劣化することを明らかにした。特に3次の相互変調歪で比較すると、寄生バイポーラ効果が強く現れているデバイスは寄生バイポーラ効果が抑圧されたデバイスに比べ、23dBc程度特性が劣化するという計算結果が得られた。 |
| 抄録(英) | We have studied the influence of a parasitic bipolar transistor on the high-frequency characteristics of an SOI power MOSFET. We carried out two types of numerical simulation based on experimentally obtained results : a transient simulation and a harmonic balance simulation. The results indicate that the parasitic bipolar effect degraded the high-frequency performance of the RF power MOSFET, for example, gain, power added efficiency, and intermodulation distortion. In particular, the third-order intermodulation distortion of the quasi-SOI device was about 23% better than that of the conventional SOI device under 2 GHz operation. |
| キーワード(和) | SOl / RF / パワーMOSFET / 寄生バイポーラ効果 |
| キーワード(英) | SOl / RF power MOSFET / power amplifier and parasitic bipolar effect. |
| 資料番号 | ED2000-88,SDM2000-88 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2000/6/23(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 薄層SOIパワーMOSFETの高周波特性に対する寄生バイポーラ効果の影響 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | ED2000-88 / SDM2000-88 The influence of parasitic bipolar transistor on high-frequency performance of thin-film SOI power MOSFETs |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | SOl / SOl |
| キーワード(2)（和/英） | RF / RF power MOSFET |
| キーワード(3)（和/英） | パワーMOSFET / power amplifier and parasitic bipolar effect. |
| キーワード(4)（和/英） | 寄生バイポーラ効果 |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 平岡 靖史 / Yasushi Hiraoka |
| 第 1 著者 所属（和/英） | NTT通信エネルギー研究所 NTT Telecommunications Energy Laboratories |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 松本 聡 / Satoshi Matsumoto |
| 第 2 著者 所属（和/英） | NTT通信エネルギー研究所 NTT Telecommunications Energy Laboratories |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 酒井 達郎 / Tatsuo Sakai |
| 第 3 著者 所属（和/英） | NTT通信エネルギー研究所 NTT Telecommunications Energy Laboratories |
| 発表年月日 | 2000/6/23 |
| 資料番号 | ED2000-88,SDM2000-88 |
| 巻番号（vol） | vol.100 |
| 号番号（no） | 152 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |