| 講演名 | 2000/4/14 高品質多結晶シリコン薄膜の形成技術とその電気的特性 鮫島 俊之, |
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| 抄録(和) | 多結晶シリコンの基本的特性について議論する。フリーキャリヤ光吸収解析により、レーザ結晶化で形成した結晶粒内移動度は、粒径が10～15nmと小さいにもかかわらず高い移動度を示すことがわかった。これに対して結晶粒界には高密度の電子捕獲欠陥準位が形成されることがわかった。水蒸気雰囲気熱処理による欠陥密度低減を実現した。同方法により多結晶薄膜トランジスタの移動度が500cm^2/Vsに向上した。さらに電流加熱による大粒径結晶成長を報告する。 |
| 抄録(英) | Fundamental properties of polycrystalline silicon films are discussed. Analyses of free carrier optical absorption reveal that crystalline grains with a small size 10～50 nm formed by laser crystallization had excellent electrical properties with a high carrier mobility, while grain boundaries have a high defect density resulting in low effective mobility of electrical current traversing grain boundaries. The reduction of density of defect states is demonstrated with high-pressure H_2O vapor annealing at low temperatures<300℃ . The heat treatment results in increase in the carrier mobility to 500 cm^2/Vs in the polycrystalline silicon thin film transistors fabricated in laser crystallized silicon films. Formation of large crystalline grains is demonstrated using the electrical current induced joule heating method. |
| キーワード(和) | 粒界 / 局在欠陥準位 / 電気伝導率 / キャリヤ移動度 / 溶融-再固化 |
| キーワード(英) | grain boundary / localized defect state / electrical conductivity / carrier mobility / melt-regrowth |
| 資料番号 | ED2000-10,SDM2000-10 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2000/4/14(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | 高品質多結晶シリコン薄膜の形成技術とその電気的特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Electronic and Crystallographic Properties of Polycrystalline Silicon Films and Its Fabrication Technologies |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 粒界 / grain boundary |
| キーワード(2)（和/英） | 局在欠陥準位 / localized defect state |
| キーワード(3)（和/英） | 電気伝導率 / electrical conductivity |
| キーワード(4)（和/英） | キャリヤ移動度 / carrier mobility |
| キーワード(5)（和/英） | 溶融-再固化 / melt-regrowth |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 鮫島 俊之 / T. Sameshima |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京農工大学 Tokyo A&T University |
| 発表年月日 | 2000/4/14 |
| 資料番号 | ED2000-10,SDM2000-10 |
| 巻番号（vol） | vol.100 |
| 号番号（no） | 4 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 7 |
| 発行日 | |