| 講演名 | 2000/4/13 Cat-CVD法による低温poly-Si膜形成とTFTへの応用 増田 淳, 和泉 亮, 松村 英樹, |
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| 抄録(和) | 触媒化学気相成長(Cat-CVD)法は、ホットワイアCVD法とも呼ばれ、大面積低温薄膜堆積法として各種半導体デバイス製造工程への適用が検討されつつある。とりわけCat-CVD法で作製した多結晶シリコン(poly-Si)膜の薄膜トランジスタ(TFT)への応用には大きな期待が寄せられている。著者等は1991年に世界に先駆けて、Cat-CVD法によるpoly-Si膜の成長に成功し、1998年度からは通商産業省工業技術院の大学連携型産業科学技術研究開発プロジェクトのもとに、新エネルギー・産業技術総合開発機構(NEDO)から委託を受け、Cat-CVD法によるpoly-Si膜形成とTFTへの応用に体系的に取り組んでいる。本稿では、同プロジェクトで得られた成果を中心に、Cat-CVD法で低温形成されたpoly-Si膜の各種構造的特性、電気的特性について紹介する。 |
| 抄録(英) | Catalytic chemical vapor deposition (Cat-CVD), often called hot-wire CVD, is one of the promising candidates for large-area thin-film formation method at low temperatures. Recently, Cat-CVD is widely studied in order to apply to device-fabrication process in semiconductor industry. Polycrystalline silicon (poly-Si) films prepared by Cat-CVD are expected to be applied to thin-film transistors (TFTS). In 1991 the authors succeeded in preparing poly-Si films by this method for the first time. Until 1998 they systematically studied preparation of poly-Si films by Cat-CVD and application to TFTs under the R&D Projects in Cooperation with Academic Institutions "Cat-CVD Fabrication Processes for Semiconductor Devices" from the New Energy and Industrial Technology Development Organization (NEDO). In this paper various structural and electrical properties of poly-Si films prepared by Cat-CVD at low temperatures are presented. |
| キーワード(和) | 触媒化学気相成長(Cat-CVD) / ホットワイアCVD / 多結晶シリコン(poly-Si) / 薄膜トランジスタ(TFT) / 構造的特性 / 電気的特性 |
| キーワード(英) | catalytic chemical vapor deposition (Cat-CVD) / hot-wire CVD / polycrystalline silicon (poly-Si) / thin-film transistor (TFT) / structural properties / electrical properties |
| 資料番号 | ED2000-3,SDM2000-3 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2000/4/13(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | Cat-CVD法による低温poly-Si膜形成とTFTへの応用 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Low-temperature preparation of poly-Si films by catalytic CVD and application to TFTs |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 触媒化学気相成長(Cat-CVD) / catalytic chemical vapor deposition (Cat-CVD) |
| キーワード(2)（和/英） | ホットワイアCVD / hot-wire CVD |
| キーワード(3)（和/英） | 多結晶シリコン(poly-Si) / polycrystalline silicon (poly-Si) |
| キーワード(4)（和/英） | 薄膜トランジスタ(TFT) / thin-film transistor (TFT) |
| キーワード(5)（和/英） | 構造的特性 / structural properties |
| キーワード(6)（和/英） | 電気的特性 / electrical properties |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 増田 淳 / Atsushi Masuda |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 北陸先端科学技術大学院大学・材料科学研究科 Japan Advanced Institute of Science and Technology (JAIST) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 和泉 亮 / Akira Izumi |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 北陸先端科学技術大学院大学・材料科学研究科 Japan Advanced Institute of Science and Technology (JAIST) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 松村 英樹 / Hideki Matsumura |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 北陸先端科学技術大学院大学・材料科学研究科 Japan Advanced Institute of Science and Technology (JAIST) |
| 発表年月日 | 2000/4/13 |
| 資料番号 | ED2000-3,SDM2000-3 |
| 巻番号（vol） | vol.100 |
| 号番号（no） | 3 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |