| 講演名 | 2000/3/13 金属インプリント法によるpoly-Si結晶粒位置制御とTFTへの応用 牧平 憲治, 浅野 種正, |
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| 抄録(和) | 金属インプリント法を用いた疑似単結晶化poly-Si TFTを作製し、その特性評価を行った。金属インプリントはNiを用いて行い、その結果、大粒径結晶粒を所望の任意の位置に形成できることがわかった。得られた結晶粒は<111>配向であった。560℃アニールによって平均7μmの粒径が得られた。この方法を用いてチャネル領域を単一結晶粒内に配置したTFTを作製した。作製したTFTは電界移動度が298[cm~2 / Vs]の高い性能を示し、特性の素子間ばらつきも通常のTFTの1 / 2の均一性のよいものが作製できることがわかった。 |
| 抄録(英) | Quasi-single crystal polycrystalline-Si TFT on solid-phase crsytallized poly-Si films prepared by metal imprint technology have been fabricated and characterized. Metal imprint was performed using Ni. Large single crystal grains were formed at controlled position. Grains were found to be <111> oriented.The average size of grains were about 7μm after crystallization at 560℃. TFT having the channel in the single grain were fabricated. TFTs showed the field effct mobility up to 298[cm~2 / Vs]. The variation in characteristics of TFTs fabricated with the Ni imprint technology was about half of the variation obtained from TFTs fabricated using the conventional solid phase crystallization. |
| キーワード(和) | 多結晶シリコン / poly-Si TFT / 固相結晶化 / 核形成位置制御 / インプリント法 |
| キーワード(英) | poly-Si / poly-Si TFT / solid-phase crystallization / nucleation control / imprint |
| 資料番号 | SDM99-231 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2000/3/13(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 金属インプリント法によるpoly-Si結晶粒位置制御とTFTへの応用 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Control of Grain Position in Solid-Phase Crystallized Poly-Si Films by Metal Imprint Technology and Its Application to High Performance TFT |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 多結晶シリコン / poly-Si |
| キーワード(2)（和/英） | poly-Si TFT / poly-Si TFT |
| キーワード(3)（和/英） | 固相結晶化 / solid-phase crystallization |
| キーワード(4)（和/英） | 核形成位置制御 / nucleation control |
| キーワード(5)（和/英） | インプリント法 / imprint |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 牧平 憲治 / Kenji Makihira |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 九州工業大学 マイクロ化総合技術センター Center for Microelectronic Systems, Kyushu Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 浅野 種正 / Tanemasa Asano |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 九州工業大学 マイクロ化総合技術センター Center for Microelectronic Systems, Kyushu Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2000/3/13 |
| 資料番号 | SDM99-231 |
| 巻番号（vol） | vol.99 |
| 号番号（no） | 681 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |