| 講演名 | 2000/3/13 ストライプトゲート真性半導体チャネルSOI-MOSFETのしきい値制御に関するシミュレーション 黄 俐昭, 最上 徹, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ | PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | MOSFETの性能向上を目的として、ストライプトゲートSOI-MOSFETを提案し、その特性をデバイスシミュレータにより検証した。この素子のしきい値電圧は、ゲート電極に埋め込んだ金属層の長さを変えることにより、変化させられる。系統的シミュレーションから、ゲート電界における一種の二次元効果により、ノンドープトチャネルSOI-MOSFETにおいて連続的にしきい値電圧を制御できること、チャネルドーピングを減らすことによりドレイン電流を増やせることが解った。2入力CMOS構成NANDチェーンに関する回路シミュレーションから、バルクFETに対して動作速度が46%向上することを確かめた。これはドレイン電流の向上と、寄生容量の低減による。 |
| 抄録(英) | To enhance the performance of metal-oxide-silicon field-effect-transistors (MOSFETs), a new device having a Silicon-on-insulator (SOI) structure, called a striped-gate SOI-MOSFET, is proposed and its electrical characteristics are estimated by device simulation. The threshold voltage of this device is controlled by changing the length of a metal layer interposed in the gate electrode. A set of systematic device simulations reveals a type of two-dimensional effect in the gate electric field provides a continuous threshold voltage control for a non-doped channel SOI-MOSFET, and that the suppression of the channel doping provides a large drain current. A circuit simulation on a 2-input complementary-MOS (CMOS) NAND gate chain comprising the devices shows that the operation speed is enhanced by 46% compared with that of bulk MOSFETs, due to the device's large drain current and small parasitic capacitance. |
| キーワード(和) | SOI / MOS / FET / しきい値電圧 / 移動度 / メタルゲート |
| キーワード(英) | SOI / MOS / FET / threshold voltage / mobility / metal gate |
| 資料番号 | SDM99-230 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
|---|---|
| 開催期間 | 2000/3/13(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ストライプトゲート真性半導体チャネルSOI-MOSFETのしきい値制御に関するシミュレーション |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Simulated Threshold Voltage Adjustment and Drain Current Enhancement in Novel Striped-Gate Nondoped-Channel Fully Depleted SOI-MOSFETs |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | SOI / SOI |
| キーワード(2)（和/英） | MOS / MOS |
| キーワード(3)（和/英） | FET / FET |
| キーワード(4)（和/英） | しきい値電圧 / threshold voltage |
| キーワード(5)（和/英） | 移動度 / mobility |
| キーワード(6)（和/英） | メタルゲート / metal gate |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 黄 俐昭 / Risho Koh |
| 第 1 著者 所属（和/英） | NEC シリコンシステム研究所 Silicon Systems Research Laboratories, NEC Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 最上 徹 / Tohru Mogami |
| 第 2 著者 所属（和/英） | NEC シリコンシステム研究所 Silicon Systems Research Laboratories, NEC Corporation |
| 発表年月日 | 2000/3/13 |
| 資料番号 | SDM99-230 |
| 巻番号（vol） | vol.99 |
| 号番号（no） | 681 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 8 |
| 発行日 | |